[發(fā)明專利]通孔的形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610147808.8 | 申請日： | 2006-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN101207069A | 公開（公告）日： | 2008-06-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 杜珊珊;韓秋華;張世謀 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 形成 方法 | ||
1.一種通孔的形成方法，包括步驟：
提供襯底；
對所述襯底進(jìn)行光刻處理，形成具有第一孔徑的孔圖案；
沉積附加介質(zhì)層；
刻蝕所述襯底，在所述襯底上形成具有第二孔徑的通孔。
2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述附加介質(zhì)層的厚度由所述第一孔徑與所述第二孔徑的差值決定。
3.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述附加介質(zhì)層為氧化硅層。
4.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述附加介質(zhì)層的沉積溫度在210℃至230℃之間。
5.一種通孔的形成方法，包括步驟：
提供襯底，且所述襯底上包含第一介質(zhì)層和位于第一介質(zhì)層之上的第二介質(zhì)層；
在所述襯底上形成具有第一孔徑的光刻圖案；
刻蝕所述第二介質(zhì)層，在所述第二介質(zhì)層上形成具有第一孔徑的孔開口；
沉積附加介質(zhì)層；
刻蝕所述孔開口內(nèi)的附加介質(zhì)層和第一介質(zhì)層，在所述第一介質(zhì)層內(nèi)形成具有第二孔徑的通孔。
6.如權(quán)利要求5所述的形成方法，其特征在于：所述附加介質(zhì)層的厚度由所述第一孔徑與第二孔徑的差值決定。
7.如權(quán)利要求5所述的形成方法，其特征在于：所述附加介質(zhì)層為氧化硅層。
8.如權(quán)利要求5所述的形成方法，其特征在于：所述附加介質(zhì)層的沉積溫度在210℃至230℃之間。
9.一種通孔的形成方法，包括步驟：
提供表面包含第一介質(zhì)層的襯底；
在所述第一介質(zhì)層上沉積刻蝕輔助層；
在所述刻蝕輔助層上形成具有第一孔徑的光刻圖案；
刻蝕所述刻蝕輔助層，在所述刻蝕輔助層上形成具有第一孔徑的孔開口；
沉積附加介質(zhì)層；
刻蝕所述孔開口內(nèi)的附加介質(zhì)層和第一介質(zhì)層，在所述第一介質(zhì)層內(nèi)形成具有第二孔徑的通孔。
10.如權(quán)利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述附加介質(zhì)層的厚度由所述第一孔徑與第二孔徑的差值決定。
11.如權(quán)利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述刻蝕輔助層和附加介質(zhì)層為氮化硅或氧化硅層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
