[發明專利]形成超淺結的方法有效
| 申請號： | 200610147797.3 | 申請日： | 2006-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN101207020A | 公開（公告）日： | 2008-06-25 |
| 發明（設計）人： | 郭佳衢;何永根;戴樹剛;劉云珍 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/04 | 分類號： | H01L21/04;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 超淺結 方法 | ||
1.一種形成超淺結的方法，包括：
對半導體襯底進行離子注入；
對所述半導體襯底進行預退火操作，將所述半導體襯底由室溫升溫至中間溫度值；
通入氧氣，對所述半導體襯底進行退火操作，將所述半導體襯底由所述中間溫度值升溫至退火溫度峰值；
對所述半導體襯底進行降溫操作，將所述半導體襯底由退火溫度峰值降至室溫。
2.根據權利要求1所述的形成超淺結的方法，其特征在于：所述離子材料包括但不限于硼、氟化亞硼、砷或磷中的一種。
3.根據權利要求1或2所述的形成超淺結的方法，其特征在于：所述氧氣濃度范圍為1～1000ppm。
4.根據權利要求3所述的形成超淺結的方法，其特征在于：所述氧氣濃度范圍為150～500ppm。
5.根據權利要求4所述的形成超淺結的方法，其特征在于：所述氧氣濃度范圍為300～500ppm。
6.根據權利要求1或2所述的形成超淺結的方法，其特征在于：所述氧氣流量范圍為1～50sccm。
7.根據權利要求6所述的形成超淺結的方法，其特征在于：所述氧氣流量范圍為3～30sccm。
8.根據權利要求1所述的形成超淺結的方法，其特征在于：所述中間溫度值取值范圍為500～700攝氏度。
9.根據權利要求1所述的形成超淺結的方法，其特征在于：所述退火溫度峰值取值范圍為1000～1100攝氏度。
10.根據權利要求1所述的形成超淺結的方法，其特征在于：控制距所述退火溫度峰值溫度差為50攝氏度的兩個溫度點間的時間間隔小于或等于1.5秒。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
