[發明專利]減小存儲單元寫入擾亂的方法

有效

• 申請號: 200610147709.X
• 申請日: 2006-12-21
• 公開（公告）號: CN101206921A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發明（設計）人: 繆威權;陳良成;鐘燦;劉鑒常
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C29/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

技術領域

本發明涉及半導體存儲單元，特別涉及減小存儲單元寫入擾亂的方法。

背景技術

非易失性(non-volatile)半導體存儲器由包括字線和位線的存儲單元陣列構成，通常場效應晶體管是存儲單元的基本組成單元。字線連接晶體管的柵極，而位線連接晶體管的漏極。通過打開某一字線和位線，就能對于選定的存儲單元(selected?cell)進行寫入操作。在實際應用中發現，當對于某一選定的存儲單元進行寫入操作時，其相鄰的受同一字線控制的存儲單元可能也會產生寫入操作。這種現象被稱為“寫入擾亂”。

美國專利號為6469933的發明公開了一種減小存儲單元寫入擾亂的方法。對于共用字線的相鄰存儲單元，當存儲單元陣列開始進行寫入操作時，通過對于需要進行寫入操作的存儲單元上的位線加接地電壓，而對于相鄰的不需要進行寫入操作的存儲單元上的位線加高電壓，從而形成互補位線以減小寫入擾亂的影響。這種方法的本質是從對存儲單元進行寫入操作的過程進行控制這一角度來減小寫入擾亂，因此不僅要控制需要進行寫入操作的存儲單元上的位線電壓，還要額外控制相鄰的不需要進行寫入操作的存儲單元上的位線電壓，所以操作不方便。

發明內容

本發明解決的問題是解決現有技術中減小存儲單元寫入擾亂操作需要進行控制的地方較多，操作不方便的問題。

為解決上述問題，本發明提供一種減小存儲單元寫入擾亂的方法，包括以下步驟：

尋找能保證存儲單元正常寫入的初始寫入條件；

挑選初始寫入條件中的兩個參數作為寫入擾亂測試的變量；

至少針對該兩個參數的兩個組合值，對存儲單元進行寫入擾亂測試；

根據寫入擾亂測試結果，得到使存儲單元寫入擾亂最小的最小擾亂寫入條件；

應用得到的最小擾亂寫入條件作為存儲單元進行寫入操作時的寫入條件。

與現有技術相比，本發明具有以下優點：通過寫入擾亂測試得到使存儲單元寫入擾亂最小的最小擾亂寫入條件并應用于存儲單元的寫入操作，從而在保證存儲單元能夠正常寫入的基礎上，使寫入擾亂最小，并且在對存儲單元進行寫入操作的時候不必再進行額外控制，因而操作方便。

附圖說明

圖1是本發明減小存儲單元寫入擾亂的方法尋找能保證存儲單元正常寫入的初始寫入條件的結果柱狀圖；

圖2是本發明減小存儲單元寫入擾亂的方法測試脈沖個數與脈沖寬度組合值與寫入擾亂關系的結果柱狀圖；

圖3是本發明減小存儲單元寫入擾亂的方法測試脈沖個數與脈沖寬度組合值的寫入擾亂結果比較柱狀圖；

圖4是本發明減小存儲單元寫入擾亂的方法流程圖；

圖5尋找能保證存儲單元正常寫入的初始寫入條件的方法流程圖；

圖6是寫入擾亂測試流程圖。

具體實施方式

本發明減小存儲單元寫入擾亂的方法通過寫入擾亂測試得到使存儲單元寫入擾亂最小的最小擾亂寫入條件并應用于存儲單元的寫入操作中，從而使存儲單元進行寫入操作時的寫入擾亂最小。本發明減小存儲單元寫入擾亂的方法包括以下步驟：

步驟s1，尋找能保證存儲單元正常寫入的初始寫入條件；

步驟s2，挑選初始寫入條件中的兩個參數作為寫入擾亂測試的變量；

步驟s3，至少針對該兩個參數的兩個組合值，對存儲單元進行寫入擾亂測試；

步驟s4，根據寫入擾亂測試結果，得到使存儲單元寫入擾亂最小的最小擾亂寫入條件；

步驟s5，應用得到的最小擾亂寫入條件作為存儲單元進行寫入操作時的寫入條件。

所述尋找能保證存儲單元正常寫入的初始寫入條件的步驟包括，

步驟s11，測量存儲單元中晶體管的閾值電壓初始值；

步驟s12，保持存儲單元中晶體管的基極接地，斷開源極，對存儲單元中晶體管的柵極施加電壓值為10V、脈沖寬度大于0.5微秒的電壓，對漏極施加脈沖寬度為0.5微秒、脈沖個數為1個的脈沖電壓，設定脈沖電壓值對存儲單元進行寫入操作；

步驟s13，再次測量存儲單元中晶體管的閾值電壓；

步驟s14，判斷存儲單元中晶體管的閾值電壓差值是否大于對應于存儲單元中晶體管規格的標稱值；

步驟s15，如閾值電壓差值小于標稱值，則設定的漏極脈沖電壓值不能夠使存儲單元正常寫入，對存儲單元進行擦除操作，使存儲單元的閾值電壓降到初始值，返回步驟s12；