[發(fā)明專利]一種清洗晶圓表面殘留物的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610147630.7
• 申請日: 2006-12-20
• 公開（公告）號: CN101204704A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發(fā)明（設計）人: 邵紅光;李碧峰;方向平;李鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;B08B3/10;C11D7/50;C11D7/32;H01L21/00
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導體器件制造清洗工藝，特別涉及一種晶圓表面清洗方法。

背景技術(shù)

在半導體器件制造清洗工藝中，通常采用EKC溶劑清洗晶圓表面殘留的有機物(Polymer)，從而起到清潔和去除缺陷的作用。現(xiàn)有的清洗方法是將晶圓垂直放置在盛有EKC溶劑的清洗槽中，通過溶解擴散或電排斥，去除晶圓表面的殘留物。但是，當晶圓邊緣表面存在缺陷，如：離焦(defocus)、圖形剝落(patternpeeling)時，可能把邊緣缺陷帶到整片晶圓，形成更多的殘留及短路等缺陷，使產(chǎn)品良率受到很大影響。圖1是采用現(xiàn)有的晶圓清洗方法產(chǎn)生的缺陷示意圖，圖中深色的陰影帶即顯示了邊緣缺陷帶到整片晶圓的情況。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種清洗晶圓表面殘留物的方法，通過該方法能有效避免邊緣缺陷帶到整片晶圓，降低缺陷大量產(chǎn)生的可能，從而提高產(chǎn)品良率。

為了達到上述的目的，本發(fā)明提供一種清洗晶圓表面殘留物的方法，其包括如下步驟：(1)將晶圓水平放置于清洗槽中；(2)向晶圓表面噴灑溶劑，同時旋轉(zhuǎn)晶圓。

在上述的清洗晶圓表面殘留物的方法中，所述方法在步驟(2)之后還包括向晶圓表面噴灑蒸餾水，同時旋轉(zhuǎn)晶圓的步驟。

在上述的清洗晶圓表面殘留物的方法中，所述的清洗槽是微影設備的顯影槽。

在上述的清洗晶圓表面殘留物的方法中，所述的溶劑是TMA(四甲基銨)。

在上述的清洗晶圓表面殘留物的方法中，步驟(2)通過旋轉(zhuǎn)晶圓產(chǎn)生離心力，將晶圓表面溶解的殘留物甩出。

本發(fā)明的清洗晶圓表面殘留物的方法，通過將晶圓水平放置在清洗槽中，利用旋轉(zhuǎn)離心力將晶圓表面溶解的殘留物甩出，從而有效防止了邊緣缺陷擴散到整片晶圓，提高了產(chǎn)品的良率。此外，通過采用TMA溶劑取代原有的EKC溶劑，還能減小溶劑對晶圓表面材質(zhì)的影響。

附圖說明

通過以下對本發(fā)明一實施例結(jié)合其附圖的描述，可以進一步理解其發(fā)明的目的、具體結(jié)構(gòu)特征和優(yōu)點。其中，附圖為：

圖1是采用現(xiàn)有的晶圓清洗方法產(chǎn)生的缺陷示意圖；

圖2是采用本發(fā)明的晶圓清洗方法在不同的清洗時間下得到的缺陷掃描圖。

具體實施方式

以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明的清洗晶圓表面殘留物的方法作進一步的詳細描述。

本發(fā)明的清洗晶圓表面殘留物的方法首先將晶圓水平放置于清洗槽中，接著通過設置在機臺上的噴嘴向晶圓表面噴灑溶劑，同時旋轉(zhuǎn)晶圓，以將晶圓表面溶解的殘留物甩出。當殘留物溶解之后再向晶圓表面噴灑蒸餾水，同時旋轉(zhuǎn)晶圓，以清除晶圓表面的溶劑殘留。于本發(fā)明的較佳實施例中，采用微影設備的顯影槽作為晶圓的清洗槽，并采用TMA(四甲基銨)溶劑作為清洗殘留物的溶劑。

當晶圓水平放置于顯影槽后，可通過噴頭向晶圓表面噴灑TMA溶劑。隨著晶圓的旋轉(zhuǎn)，溶劑逐漸往晶圓邊緣擴散，晶圓表面的殘留物被TMA溶劑溶解后在離心力的作用下被甩出晶圓，從而晶圓邊緣的缺陷不會影響到晶圓的中央。此外，由實驗表明，TMA溶劑對晶圓表面材質(zhì)鈦(Ti)的影響小于EKC溶劑，故采用TMA溶劑清洗晶圓還能減小溶劑對晶圓表面的損害。

本發(fā)明的方法對晶圓清洗時間沒有特殊的限定，可以按照工藝要求或晶圓表面殘留物的情況設定合理的清洗時間，以節(jié)約工藝成本。圖2是采用本發(fā)明的晶圓清洗方法在不同的清洗時間(45s，60s，75s，90s)下得到的缺陷掃描圖，從圖中可以看出，采用本發(fā)明的方法清洗的晶圓，其表面沒有明顯的缺陷痕跡，不會產(chǎn)生如圖1所示的缺陷帶，因此，采用該方法清洗的晶圓的良率可保持在80％左右，比現(xiàn)有方法所獲得的良率提高近30％。