[發(fā)明專利]平面有源屏蔽梯度線圈的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610144180.6
• 申請(qǐng)日: 2006-11-29
• 公開（公告）號(hào): CN101191829A
• 公開（公告）日: 2008-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王為民;李培;周德開;黃開文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京萬東醫(yī)療裝備股份有限公司;北京大學(xué)
• 主分類號(hào): G01R33/385
• 分類號(hào): G01R33/385;G01R33/421
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 周國城

1.一種平面有源屏蔽梯度線圈的制作方法，制作用于低場(chǎng)開放型磁共振成像系統(tǒng)的梯度線圈，其特征在于，具體步驟為：

a)根據(jù)已知的場(chǎng)分布，按照目標(biāo)場(chǎng)的方法，求出主動(dòng)線圈的電流分布函數(shù)；

b)在主動(dòng)線圈外側(cè)各加一個(gè)屏蔽線圈，當(dāng)兩屏蔽線圈滿足以下公式：

Fx(s1)(kx,kz)=-csch(2kyd)]]>

×{Fx(1)(kx,kz)sinh[ky(b+d)]+Fx(2)(kx,kz)sinh[ky(d-b)]}]]>和

Fx(s2)(kx,kz)=-csch(2kyd)]]>

×{Fx(1)(kx,kz)sinh[ky(b-d)]+Fx(2)(kx,kz)sinh[ky(d+b)]}]]>時(shí)，

屏蔽線圈外的磁場(chǎng)消失，從而達(dá)到屏蔽性好、減小渦流的目的；根據(jù)上述兩公式中主動(dòng)線圈和屏蔽線圈中電流的關(guān)系式，得出屏蔽線圈中的電流分布函數(shù)；

上兩式中，b為主動(dòng)線圈與y＝0平面之間的距離，d為屏蔽線圈與y＝0平面之間的距離，F(xiàn)_x⁽¹⁾(k_x，k_z)和F_x⁽²⁾(k_x，k_z)分別是兩個(gè)主動(dòng)線圈上電流分布函數(shù)的傅立葉變換，F(xiàn)_x^(s1)(k_x，k_z)和F_x^(s2)(k_x，k_z)分別是兩個(gè)屏蔽線圈上電流分布函數(shù)的傅立葉變換，sinh()和csch()分別是正割和余割函數(shù)；

c)將電感最小的約束條件代入設(shè)計(jì)中，進(jìn)行電感優(yōu)化的平面線圈設(shè)計(jì)，得到在電感最小的條件下的主動(dòng)線圈和屏蔽線圈中的電流分布函數(shù)；

d)按照c)步驟所求主動(dòng)線圈和屏蔽線圈中的電流分布函數(shù)繞制線圈，計(jì)算線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)分布，根據(jù)該磁場(chǎng)與目標(biāo)磁場(chǎng)的差別調(diào)整線圈；如此反復(fù)，直到得到滿足要求的平面有源屏蔽梯度線圈；

e)按照設(shè)計(jì)圖用激光切割的方法得到梯度線圈，并對(duì)梯度線圈進(jìn)行打磨；

f)調(diào)配環(huán)氧樹脂膠，對(duì)切割后的線圈進(jìn)行粘接；

g)用液壓機(jī)壓制線圈；

h)裁制環(huán)氧板，加工制作成絕緣層；

j)壓制下梯度盤，將環(huán)氧樹脂構(gòu)成的絕緣層，置于任意兩層梯度線圈之間：以水平設(shè)置的絕緣中間層為梯度盤支架，在中間支架上表面以任意排列順序?qū)、Y、Z主動(dòng)線圈和絕緣層間隔壓入，在中間支架下表面，以任意排列順序?qū)、Y、Z屏蔽線圈和絕緣層間隔壓入；

k)壓制上梯度盤，上梯度盤的壓制與下梯度盤相同，是對(duì)稱的；

l)梯度盤中各線圈的連接是，Z主動(dòng)線圈和Z屏蔽線圈相連接，Y主動(dòng)線圈和Y屏蔽線圈相連接，X主動(dòng)線圈和X屏蔽線圈相連接。