[發(fā)明專利]基于納米管的非易失性存儲器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610142807.4 | 申請日： | 2006-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN1964053A | 公開（公告）日： | 2007-05-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 柳震奎;李秀一 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/115 | 分類號： | H01L27/115;H01L23/522;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人： | 張波 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 納米 非易失性存儲器 | ||
【說明書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
- 處理器、存儲器、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、系統(tǒng)LSI及其驗(yàn)證方法
- 半導(dǎo)體器件和IC卡
- 安全的非易失性存儲器裝置以及對其中的數(shù)據(jù)進(jìn)行保護(hù)的方法
- 非易失性存儲器數(shù)據(jù)寫入方法、存儲系統(tǒng)及其控制器
- 對系統(tǒng)進(jìn)行配置的方法、計(jì)算系統(tǒng)以及物品
- 非易失性存儲器接口
- 對存儲器設(shè)備中的非易失性存儲器和易失性存儲器進(jìn)行同時(shí)存取的技術(shù)
- 存儲裝置
- 控制非易失性存儲器器件的初始化的方法以及存儲器系統(tǒng)
- 非易失性存儲器的檢測方法及相關(guān)設(shè)備
