[發明專利]降低導電層與掩模層間應力的方法以及制造柵極的方法

無效

• 申請號: 200610136061.6
• 申請日: 2006-10-20
• 公開（公告）號: CN101165859A
• 公開（公告）日: 2008-04-23
• 發明（設計）人: 楊宗勛;吳孝哲;陳豐鈞;潘建勛
• 申請（專利權）人: 茂德科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/321
• 分類號: H01L21/321;H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種降低導電層與掩模層間的應力的方法，包含于該導電層上方形成該掩模層之前，進行一含氮氣體的等離子體處理以改質該導電層與該掩模層接觸的表面。

2.如權利要求1所述的方法，其中該導電層是一金屬層。

3.如權利要求2所述的方法，其中該金屬層是一含鎢層。

4.如權利要求3所述的方法，其中該含鎢層是一硅化鎢層。

5.如權利要求1所述的方法，其中該掩模層是一介電層。

6.如權利要求5所述的方法，其中該介電層是一氮化硅層。

7.如權利要求1所述的方法，其中該含氮氣體選自下列群組：氨氣、氮氣、及其組合。

8.如權利要求1所述的方法，其中該含氮氣體是氨氣。

9.如權利要求1所述的方法，其中該等離子體處理于200W或更高的能量下進行。

10.如權利要求1所述的方法，其中該等離子體處理進行5秒或更長的時間。

11.一種制造柵極的方法，包含：

提供一襯底；以及

于該襯底上依序沉積一氧化層、一導電層、及一掩模層，以形成一柵極堆疊結構；

其中，于沉積該掩模層之前，進行一含氮的氣體的等離子體處理以改質該導電層表面。

12.如權利要求11所述的方法，其中該導電層是一金屬層。

13.如權利要求12所述的方法，其中該金屬層是一含鎢層。

14.如權利要求13所述的方法，其中該含鎢層是一硅化鎢層。

15.如權利要求11所述的方法，其中該掩模層是一介電層。

16.如權利要求15所述的方法，其中該介電層是一氮化硅層。

17.如權利要求11所述的方法，其中該含氮氣體選自下列群組：氨氣、氮氣、及其組合。

18.如權利要求11所述的方法，其中該含氮氣體是氨氣。

19.如權利要求11所述的方法，其中該等離子體處理于200W或更高的能量下進行。

20.如權利要求11所述的方法，其中該等離子體處理進行5秒或更長的時間。

21.如權利要求11所述的方法，其中于形成該柵極堆疊結構的步驟中，更包含于沉積該導電層之前，先沉積一多晶硅層。

22.如權利要求11所述的方法，其中于形成該柵極堆疊結構的步驟后，更包含于該柵極堆疊結構的側邊形成一間隙壁。