[發明專利]非易失性半導體記憶裝置及其改寫方法無效
| 申請號： | 200610128830.8 | 申請日： | 2006-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN1925059A | 公開（公告）日： | 2007-03-07 |
| 發明（設計）人： | 永井?？?/a>;土岐和啟;三角賢治;小谷秀人 | 申請（專利權）人： | 松下電器產業株式會社 |
| 主分類號： | G11C16/10 | 分類號： | G11C16/10;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非易失性 半導體 記憶 裝置 及其 改寫 方法 | ||
【說明書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于松下電器產業株式會社，未經松下電器產業株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200610128830.8/2.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種制備濺射靶材料的方法
- 下一篇：基于反射鏡的顯示裝置
