[發(fā)明專利]頻譜發(fā)生裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610127607.1
• 申請日: 2006-08-29
• 公開（公告）號: CN101134611A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙毅;陳本;陳險峰;陳俊嶺
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東駿豐頻譜實(shí)業(yè)有限公司
• 主分類號: C02F1/48
• 分類號: C02F1/48
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 劉芳

1.一種頻譜發(fā)生裝置，其特征在于，包括：

一第一導(dǎo)磁體，具有至少一個封閉的內(nèi)表面或外表面；

數(shù)個凸起導(dǎo)磁體，對稱設(shè)置在所述內(nèi)表面上或外表面上；

數(shù)個線圈，分別繞設(shè)在所述數(shù)個凸起導(dǎo)磁體上，其輸入端連接交流電源；

一第二導(dǎo)磁體，套裝在所述第一導(dǎo)磁體的內(nèi)表面之內(nèi)；或一第三導(dǎo)磁體，套裝在所述第一導(dǎo)磁體的外表面之外；

一水流通道，形成在所述數(shù)個凸起導(dǎo)磁體的端面與所述第二導(dǎo)磁體或第三導(dǎo)磁體之間。

2.如權(quán)利要求1所述的頻譜發(fā)生裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)磁體具有一封閉的內(nèi)表面，其上設(shè)置數(shù)個繞設(shè)線圈的內(nèi)凸起導(dǎo)磁體，第二導(dǎo)磁體套裝在所述內(nèi)表面之內(nèi)，所述數(shù)個內(nèi)凸起導(dǎo)磁體的端面和所述第二導(dǎo)磁體之間套裝一內(nèi)水管，所述內(nèi)水管的內(nèi)壁與所述第二導(dǎo)磁體的外表面之間形成水流通道。

3.如權(quán)利要求1所述的頻譜發(fā)生裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)磁體具有一封閉的內(nèi)表面，其上設(shè)置數(shù)個繞設(shè)線圈的內(nèi)凸起導(dǎo)磁體，第二導(dǎo)磁體套裝在所述內(nèi)表面之內(nèi)，所述數(shù)個內(nèi)凸起導(dǎo)磁體之間設(shè)置有填充物，所述內(nèi)凸起導(dǎo)磁體和填充物構(gòu)成的內(nèi)封閉表面與所述第二導(dǎo)磁體的外表面之間形成水流通道。

4.如權(quán)利要求1所述的頻譜發(fā)生裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)磁體具有一封閉的外表面，其上設(shè)置數(shù)個繞設(shè)線圈的外凸起導(dǎo)磁體，第三導(dǎo)磁體套裝在所述外表面之外，所述數(shù)個外凸起導(dǎo)磁體之間設(shè)置有填充物，所述外凸起導(dǎo)磁體和填充物構(gòu)成的外封閉表面與所述第三導(dǎo)磁體的內(nèi)表面之間形成水流通道。

5.如權(quán)利要求1～4任一所述的頻譜發(fā)生裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)磁體的內(nèi)表面或外表面的橫截面為圓形、橢圓形、矩形或多邊形，所述內(nèi)凸起導(dǎo)磁體或外凸起導(dǎo)磁體數(shù)量為2的整數(shù)倍。

6.如權(quán)利要求1～4任一所述的頻譜發(fā)生裝置，其特征在于，所述線圈的電流頻率為1～1000Hz，所形成頻譜場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為25～1000mT，其中用于飲用、醫(yī)用或淋浴時所述線圈的電流頻率為1～300Hz，磁感應(yīng)強(qiáng)度為25～250mT。

7.一種頻譜發(fā)生裝置，其特征在于，包括：

一矩形導(dǎo)磁體，其第一對邊之間設(shè)置至少一個連接體；

至少一個氣隙開口，分別開設(shè)在每個所述連接體的中部；

至少二組線圈，分別繞設(shè)在每個所述連接體上并位于所述氣隙開口的兩側(cè)，其輸入端連接交流電源；

一水管，加裝在所述氣隙開口的隙縫間。

8.一種頻譜發(fā)生裝置，其特征在于，包括：

一矩形導(dǎo)磁體，其第一對邊之間設(shè)置至少一個連接體；

至少二組線圈，分別對稱繞設(shè)在每個所述連接體上，其輸入端連接交流電源；

二個氣隙開口，分別開設(shè)在矩形導(dǎo)磁體第二對邊的中部；

二個水管，分別加裝在所述氣隙開口的隙縫間。

9.如權(quán)利要求8所述的頻譜發(fā)生裝置，其特征在于，所述二個水管為并接或串接。

10.一種頻譜發(fā)生裝置，其特征在于，包括：

一環(huán)狀導(dǎo)磁體；

至少一組線圈，繞設(shè)在所述環(huán)狀導(dǎo)磁體上，其輸入端連接交流電源；

至少一個氣隙開口，設(shè)置在所述環(huán)狀導(dǎo)磁體上，其高度大于6mm，小于或等于10mm；

至少一個水管，加裝在所述氣隙開口的隙縫間。