[發明專利]鈦、鋁金屬層疊膜蝕刻液組合物無效
| 申請號： | 200610121637.1 | 申請日： | 2006-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN101130870A | 公開（公告）日： | 2008-02-27 |
| 發明（設計）人： | 清水壽和 | 申請（專利權）人： | 關東化學株式會社 |
| 主分類號： | C23F1/16 | 分類號： | C23F1/16;C23F1/20;C23F1/26;H01L21/02 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人： | 陳建全 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 層疊 蝕刻 組合 | ||
1.一種蝕刻液組合物，其用于將含有由鈦或以鈦為主成分的合金所構成的層和由鋁或以鋁為主成分的合金所構成的層的金屬層疊膜一起進行蝕刻，所述蝕刻液組合物含有氟化物和氧化劑，所述氟化物為選自氫氟酸的金屬鹽或銨鹽、六氟硅酸、六氟硅酸的金屬鹽或銨鹽、四氟硼酸、四氟硼酸的金屬鹽或銨鹽中的至少1種。
2.如權利要求1所述的蝕刻液組合物，其中，僅使用氟化物、氧化劑和水作為構成原料，所述氟化物為選自氫氟酸的金屬鹽或銨鹽、六氟硅酸、六氟硅酸的金屬鹽或銨鹽、四氟硼酸、四氟硼酸的金屬鹽或銨鹽中的至少1種。
3.如權利要求1或2所述的蝕刻液組合物，其中，氧化劑為從硝酸、硝酸銨、硫酸銨、過二硫酸銨、過二硫酸鉀、高氯酸、高氯酸銨、高氯酸鈉、高氯酸鉀、高碘酸、高碘酸鈉、高碘酸鉀、甲磺酸、過氧化氫水、硫酸和硫酸乙二胺之中選擇的至少1種。
4.如權利要求1或2所述的蝕刻液組合物，其中，氟化物的濃度為0.01～5質量％，氧化劑的濃度為0.1～50質量％。
5.如權利要求1或2所述的蝕刻液組合物，其中，氧化劑為硝酸或甲磺酸。
6.如權利要求5所述的蝕刻液組合物，其中，其進一步含有作為氧化劑的從硝酸銨、硫酸銨、過二硫酸銨、過二硫酸鉀、高氯酸、高氯酸銨、高氯酸鈉、高氯酸鉀、高碘酸、高碘酸鈉、高碘酸鉀、過氧化氫水、硫酸和硫酸乙二胺之中選擇的至少1種。
7.如權利要求1所述的蝕刻液組合物，其中，其進一步含有從氨基磺酸、醋酸和鹽酸之中選擇的至少1種。
8.如權利要求1或2所述的蝕刻液組合物，其中，底層基板為液晶顯示器用玻璃基板。
9.如權利要求1或2所述的蝕刻液組合物，其中，底層基板為半導體裝置用硅基板或化合物半導體基板。
10.如權利要求1～9中任一項所述的蝕刻液組合物，其中，可將含有由鈦或以鈦為主成分的合金所構成的層和由鋁或以鋁為主成分的合金所構成的層的金屬層疊膜在蝕刻后的錐角控制在30～90度的范圍內。
11.如權利要求10所述的蝕刻液組合物，其中，可將錐角控制在30～85度的范圍內。
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