[發明專利]一種SCR靜電保護器件及制造方法無效
| 申請號： | 200610119446.1 | 申請日： | 2006-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN101202281A | 公開（公告）日： | 2008-06-18 |
| 發明（設計）人： | 徐向明 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/04 | 分類號： | H01L27/04;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 丁紀鐵;李雋松 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 scr 靜電 保護 器件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種SCR靜電保護器件，由P阱中的P型注入區、P阱中的N型注入區、N阱中的P型注入區、N阱中的N型注入區組成，其特征在于，在所述P阱中加入一個P型注入區，同時在輸入端和增加的所述P型注入區間加入一個電容。
2.根據權利要求1所述的SCR靜電保護器件，其特征在于，所述電容值小于150皮法。
3.根據權利要求2所述的SCR靜電保護器件，其特征在于，可應用于觸發電壓為5V-40V的半導體靜電保護電路中。
4.一種制造權利要求1或2所述的靜電保護器件的方法，其特征在于，利用常規工藝在所述P阱中加上一個P型注入區，同時在輸入端和增加的所述P型注入區間接入一個電容。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
