[發(fā)明專利]一種防止晶圓表面氧化膜破壞的晶圓清洗裝置及清洗方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610117987.0 | 申請日： | 2006-11-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101172278A | 公開（公告）日： | 2008-05-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張守龍;張傳民;邵群;邱柏誠 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B08B3/02 | 分類號(hào)： | B08B3/02;B08B13/00;H01L21/302 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 防止 表面 氧化 破壞 清洗 裝置 方法 | ||
1.一種防止晶圓表面氧化膜破壞的晶圓清洗裝置，至少包括晶圓裝卸載單元和具有數(shù)個(gè)噴嘴及水流傳送管道的晶圓清洗單元，所述晶圓裝卸載單元位于所述晶圓清洗單元的上方，數(shù)個(gè)噴嘴噴出的水柱用于沖洗晶圓，其特征在于：所述晶圓清洗單元的水流傳送管道上還設(shè)有一水壓調(diào)節(jié)閥。
2.如權(quán)利要求1所述的一種防止晶圓表面氧化膜破壞的晶圓清洗裝置，其特征在于：在晶圓清洗過程中，通過所述的水壓調(diào)節(jié)閥調(diào)節(jié)水柱高度，使該水柱接觸到晶圓表面。
3.如權(quán)利要求1所述的一種防止晶圓表面氧化膜破壞的晶圓清洗裝置，其特征在于：所述的水壓調(diào)節(jié)閥是機(jī)械閥門。
4.如權(quán)利要求1所述的一種防止晶圓表面氧化膜破壞的晶圓清洗裝置，其特征在于：所述的水壓調(diào)節(jié)閥是電子閥門。
5.一種防止晶圓表面氧化膜破壞的晶圓清洗方法，其特征在于，所述的方法包括下列步驟：
(1)在晶圓清洗裝置的晶圓清洗單元的水流傳送管道上設(shè)置一水壓調(diào)節(jié)閥；
(2)裝載一晶圓，使該晶圓的表面面向晶圓清洗單元的數(shù)個(gè)噴嘴；
(3)沖洗晶圓，并通過水壓調(diào)節(jié)閥調(diào)節(jié)水柱高度，使該水柱接觸到晶圓表面；
(4)停止沖洗，并卸載晶圓。
6.如權(quán)利要求5所述的一種防止晶圓表面氧化膜破壞的晶圓清洗方法，其特征在于：所述的水壓調(diào)節(jié)閥是機(jī)械閥門。
7.如權(quán)利要求5所述的一種防止晶圓表面氧化膜破壞的晶圓清洗方法，其特征在于：所述的水壓調(diào)節(jié)閥是電子閥門。
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