[發(fā)明專利]用于分柵結(jié)構(gòu)閃存的浮柵制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610116940.2
• 申請日: 2006-10-09
• 公開（公告）號: CN101162691A
• 公開（公告）日: 2008-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 居宇涵;王軍明
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 王函

1.一種用于分柵結(jié)構(gòu)閃存的浮柵制作方法，包括如下步驟：步驟1，在多晶硅上淀積氮化硅薄膜，然后光刻并干法刻蝕氮化硅；步驟2，淀積二氧化硅以覆蓋暴露出的多晶硅，再用CMP方法去除多余的二氧化硅，用濕法刻蝕去除氮化硅；步驟3，干法刻蝕未被二氧化硅覆蓋的多晶硅制成浮柵；步驟4，生長多晶硅之間的氧化層，淀積好準(zhǔn)備作控制柵的多晶硅，光刻并干刻多晶硅制成控制柵，從而形成分柵結(jié)構(gòu)；其特征在于，在步驟1和步驟2之間增加步驟：在氮化硅被刻去的區(qū)域用各向同性的干法刻蝕條件少量刻蝕多晶硅，然后用熱氧化法生長二氧化硅薄膜。