[發(fā)明專利]有機(jī)預(yù)涂金屬板上SiOx鍍層的真空制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610116551.X
• 申請(qǐng)日: 2006-09-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101153380A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊立紅;傅建欽;張健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 寶山鋼鐵股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/10
• 分類號(hào): C23C14/10;C23C14/22;C23C14/46;C23C14/54;C23C16/40;C23C16/513;C23C16/52
• 代理公司: 上海東信專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 楊丹莉

1.一種有機(jī)預(yù)涂金屬板上SiOx鍍層的真空制備方法，其特征在于包括以下步驟：

第一步：進(jìn)入等離子環(huán)境中進(jìn)行表面清洗和表面活化；

第二步：通過(guò)真空密封裝置，進(jìn)入真空鍍膜單元，在有機(jī)涂層上進(jìn)行SiOx鍍膜。

2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)預(yù)涂金屬板上SiOx鍍層的真空制備方法，其特征在于還包括：

第三步：進(jìn)入后處理單元，使用等離子發(fā)生器，使氧氣等離子化，

前面步驟形成的薄膜最表層向SiO₂轉(zhuǎn)化，并趨于穩(wěn)態(tài)；

第四步：通過(guò)氮?dú)饣蚨栊詺怏w環(huán)境，形成穩(wěn)定的SiOx表面產(chǎn)品。

3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)預(yù)涂金屬板上SiOx鍍層的真空制備方法，其特征在于還包括：

在第二步中，鍍膜單元分為三到四個(gè)子鍍膜單元，其中每個(gè)單元保持不同的氣體組成，每個(gè)子系統(tǒng)生成的薄膜的性質(zhì)可以逐漸發(fā)生變化，在基板通過(guò)時(shí)形成梯度薄膜。

4.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)預(yù)涂金屬板上SiOx鍍層的真空制備方法，其特征在于：所述步驟一中產(chǎn)生等離子的氣體是氧氣、氮?dú)狻錃狻鍤庵械囊环N或者是這幾種氣體的組合。

5.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)預(yù)涂金屬板上SiOx鍍層的真空制備方法，其特征在于：表面活化時(shí)間為0.5秒～200秒。

6.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)預(yù)涂金屬板上SiOx鍍層的真空制備方法，其特征在于：所采用的鍍膜工藝是物理氣相沉積PVD或者等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD。

7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)預(yù)涂金屬板上SiOx鍍層的真空制備方法，其特征在于：所述PVD為蒸發(fā)、濺射、離子鍍。

8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)預(yù)涂金屬板上SiOx鍍層的真空制備方法，其特征在于：所述PVD中的蒸發(fā)采用電子束加熱、電阻加熱、感應(yīng)加熱等方法實(shí)現(xiàn)，在蒸發(fā)的過(guò)程中同時(shí)通過(guò)反向磁控濺射、空心陰極、射頻、聲頻等來(lái)產(chǎn)生等離子體。

9.如權(quán)利要求6述的有機(jī)預(yù)涂金屬板上SiOx鍍層的真空制備方法，其特征在于：所述PVD采用的Si的來(lái)源是Si或者玻璃、石英。

10.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)預(yù)涂金屬板上SiOx鍍層的真空制備方法，其特征在于：所述PVD通過(guò)改變通入氧氣與Si的比例來(lái)沉積不同性能的SiOx涂層，Si/Oxygen為1/0.1～1/2。

11.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)預(yù)涂金屬板上SiOx鍍層的真空制備方法，其特征在于：所述PECVD的等離子體發(fā)生方式是微波、射頻、聲頻、空心陰極。

12.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)預(yù)涂金屬板上SiOx鍍層的真空制備方法，其特征在于：所述PECVD采用的材料為六甲基二硅氧烷、六甲基二硅胺烷或三甲基氯化硅烷等有機(jī)溶劑，在通過(guò)加熱管道后以氣體形態(tài)進(jìn)入真空環(huán)境，同時(shí)通入氧氣、氬氣或二者，在等離子發(fā)生器的作用下形成等離子體，并發(fā)生反應(yīng)。

13.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)預(yù)涂金屬板上SiOx鍍層的真空制備方法，其特征在于：HMDSO/氧氣，HMDS/氧氣、TMS/氧氣的比例達(dá)到1∶10-1∶20時(shí)，生成完全的SiO₂鍍層。

14.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)預(yù)涂金屬板上SiOx鍍層的真空制備方法，其特征在于：基板的運(yùn)行速率為10～200米/分。

15.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)預(yù)涂金屬板上SiOx鍍層的真空制備方法，其特征在于：所述活化、鍍膜、后處理中的真空度范圍為1×10^-4～1×10^-2Pa。

16.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)預(yù)涂金屬板上SiOx鍍層的真空制備方法，其特征在于：所述步驟三中的等離子發(fā)生器包括微波、射頻、聲頻、空心陰極方式。

17.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)預(yù)涂金屬板上SiOx鍍層的真空制備方法，其特征在于：通過(guò)調(diào)節(jié)PVD或PECVD的功率、電流、電壓等參數(shù)來(lái)控制鍍膜的厚度、組織結(jié)構(gòu)。