[發(fā)明專利]修正CMP作業(yè)工藝條件的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610116251.1 | 申請日： | 2006-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN101148016A | 公開（公告）日： | 2008-03-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉艷平;趙正元 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | B24B1/00 | 分類號： | B24B1/00;B24B49/00;B24B29/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人： | 顧繼光 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 修正 cmp 作業(yè) 工藝 條件 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種修正CMP作業(yè)工藝條件的方法，其特征在于，根據(jù)產(chǎn)品的研磨速率傾向參數(shù)選擇CMP作業(yè)工藝條件，其中不同的研磨速率傾向參數(shù)對應不同的CMP作業(yè)工藝條件，所述研磨速率傾向參數(shù)是硅片在中心區(qū)域的研磨速率和邊緣某個區(qū)域研磨速率的比值。
2.如權利要求1所述的修正CMP作業(yè)工藝條件的方法，其特征在于，所述不同的CMP作業(yè)工藝條件是根據(jù)殘膜的膜厚和均一性與研磨速率傾向參數(shù)的相關性收集整理得到的。
3.如權利要求1所述的修正CMP作業(yè)工藝條件的方法，其特征在于，它進一步包括：根據(jù)加工后實際測量的殘膜的膜厚和均一性修正CMP作業(yè)工藝條件。
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