[發(fā)明專利]一種提高氧化層厚度檢測精度的裝置及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610116166.5 | 申請日： | 2006-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN101150083A | 公開（公告）日： | 2008-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 翟志剛 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 氧化 厚度 檢測 精度 裝置 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種提高氧化層厚度檢測精度的裝置，包括一個爐管，一個晶舟，數(shù)個晶片和至少一個控片，晶片和控片均排列放置在晶舟上；其特征在于：所述控片相鄰的上方還設(shè)置一個擋片。
2.如權(quán)利要求1所述的提高氧化層厚度檢測精度的方法，其特征在于：所述擋片上下表面均為氧化硅(SiO2)。
3.一種提高氧化層厚度檢測精度的方法，包括將承載數(shù)個晶片和至少一個控片的晶舟裝入爐管內(nèi)；其特征在于，該方法還包括如下步驟：在裝入爐管之前，每個與晶片相鄰的控片上方放置一個擋片。
4.如權(quán)利要求3所述的提高氧化層厚度檢測精度的方法，其特征在于：所述方法還包括爐管加熱并通入含氧氣體，使晶片和控片表面生長氧化層。
5.如權(quán)利要求4所述的提高氧化層厚度檢測精度的方法，其特征在于：所述方法還包括爐管加熱完畢后取出控片，測量每個控片上的氧化層厚度。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
