[發(fā)明專利]一種源體歐姆接觸絕緣體上硅晶體管的制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610113722.3
• 申請日: 2006-10-13
• 公開（公告）號: CN101162696A
• 公開（公告）日: 2008-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 畢津順;海潮和
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 周國城

1.一種源體歐姆接觸絕緣體上硅晶體管的制作方法，其特征在于，該方法包括：

A、在源體歐姆接觸絕緣體上硅SOI晶體管版圖中，增加一層源漏大劑量雜質(zhì)反注入光刻版(60)；

B、以源漏大劑量雜質(zhì)注入光刻版(40)的反版為掩膜進(jìn)行源漏大劑量雜質(zhì)注入；

C、以增加的源漏大劑量雜質(zhì)反注入光刻版(60)的反版為掩膜進(jìn)行源漏大劑量雜質(zhì)反注入，引出柵區(qū)下面的體區(qū)(54)；

D、濺射鈦層，退火生成源漏硅化物，形成源體歐姆接觸SOI晶體管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的源體歐姆接觸SOI晶體管的制作方法，其特征在于，步驟A中所述增加一層源漏大劑量雜質(zhì)反注入光刻版(60)在SOI晶體管版圖中源區(qū)(50)兩端進(jìn)行增加；

所述源漏大劑量雜質(zhì)反注入光刻版(60)套準(zhǔn)在SOI晶體管版圖柵區(qū)(30)的中間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的源體歐姆接觸SOI晶體管的制作方法，其特征在于，

對于n型溝道場效應(yīng)晶體管，步驟B中所述進(jìn)行源漏大劑量雜質(zhì)注入的雜質(zhì)為磷離子和砷離子；

對于p型溝道場效應(yīng)晶體管，步驟B中所述進(jìn)行源漏大劑量雜質(zhì)注入的雜質(zhì)為氟化硼離子。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的源體歐姆接觸SOI晶體管的制作方法，其特征在于，

對于n型溝道場效應(yīng)晶體管，步驟C中所述進(jìn)行源漏大劑量雜質(zhì)反注入的雜質(zhì)為氟化硼離子，其注入的劑量和能量與步驟B中所述p型溝道場效應(yīng)晶體管源漏注入相同；

對于p型溝道場效應(yīng)晶體管，步驟C中所述進(jìn)行源漏大劑量雜質(zhì)反注入的雜質(zhì)為磷離子和砷離子，其注入的劑量和能量與步驟B中所述n型溝道場效應(yīng)晶體管源漏注入相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的源體歐姆接觸SOI晶體管的制作方法，其特征在于，步驟B和步驟C中所述反版通過采用負(fù)性光刻膠實(shí)現(xiàn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的源體歐姆接觸SOI晶體管的制作方法，其特征在于，步驟D中所述濺射鈦層的厚度為20nm至50nm，所述退火生成源漏硅化物采用兩步退火工藝實(shí)現(xiàn)，所述形成源體歐姆接觸SOI晶體管將體區(qū)(54)和源區(qū)(50)固定在同一電位上。