[發(fā)明專利]三級非易失半導(dǎo)體存儲器設(shè)備及其驅(qū)動方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610110018.2 | 申請日： | 2006-07-28 |
| 公開（公告）號： | CN1905072A | 公開（公告）日： | 2007-01-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 樸起臺;崔正達(dá);曹成奎 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | G11C16/10 | 分類號： | G11C16/10;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人： | 呂曉章;李曉舒 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 三級 非易失 半導(dǎo)體 存儲器 設(shè)備 及其 驅(qū)動 方法 | ||
【說明書】：
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