[發明專利]浮置柵極與非揮發性存儲器的制造方法

無效

• 申請號: 200610108413.7
• 申請日: 2006-08-02
• 公開（公告）號: CN101118852A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發明（設計）人: 姚永中;王心德
• 申請（專利權）人: 力晶半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種浮置柵極的制造方法，包括

提供基底，該基底中已形成有隔離結構，且該隔離結構的頂面高于該基底頂面；

在該基底上形成掩模層，覆蓋住該隔離結構；

在該基底與該掩模層中形成溝槽；

在該溝槽中形成導體層，該導體層的頂面低于該隔離結構頂面、高于該基底頂面，且該導體層表面具有凹陷；

在該導體層上的該溝槽側壁形成間隙壁；并且

以該間隙壁為掩模，移除部分該導體層，在該溝槽側壁形成浮置柵極。

2.如權利要求1所述的浮置柵極的制造方法，其中該導體層頂部接近該溝槽兩側壁分別具有尖角狀構造。

3.如權利要求1所述的浮置柵極的制造方法，其中該導體層的形成方法包括：

在該基底上形成導體材料層；并且

回蝕刻該導體材料層。

4.如權利要求3所述的浮置柵極的制造方法，其中回蝕刻該導體材料層的步驟還包括：

以該掩模層為蝕刻終止層，回蝕刻該導體材料層；并且

以該隔離結構為蝕刻終止層，回蝕刻該導體材料層。

5.如權利要求1所述的浮置柵極的制造方法，其中該間隙壁的形成方法包括：

在該基底上形成間隙壁材料層；并且

移除部分該間隙壁材料層，以在該導體層上的該溝槽側壁形成該間隙壁。

6.如權利要求1所述的浮置柵極的制造方法，其中該導體層的材料包括摻雜多晶硅。

7.如權利要求1所述的浮置柵極的制造方法，還包括在形成該溝槽之后、且在形成該導體層之前，在該溝槽內壁形成穿隧介電層。

8.一種非揮發性存儲器的制造方法，包括：

提供基底，該基底中已形成有多個隔離結構，該隔離結構定義出多個有源區，且該隔離結構的頂面高于該有源區的該基底頂面；

在該基底上形成掩模層，覆蓋住該隔離結構；

在該基底與該掩模層中形成多個溝槽；

在該基底上形成共形的第一導體層，填滿各該溝槽；

回蝕刻該第一導體層，使該第一導體層的頂面低于該隔離結構頂面、高于該基底頂面，且在各該溝槽中的該第一導體層表面形成凹陷；

在該第一導體層上的該溝槽側壁形成間隙壁；

以該間隙壁為掩模，移除部分該導體層，在該溝槽側壁形成浮置柵極；

移除該掩模層；并且

在各該溝槽外側的該基底上形成控制柵極。

9.如權利要求8所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中該導體層頂部接近該溝槽兩側壁分別具有尖角狀構造。

10.如權利要求8所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中該控制柵極的頂面高于該浮置柵極的頂面。

11.如權利要求8所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中回蝕刻該第一導體層的步驟還包括：

以該掩模層為蝕刻終止層，回蝕刻該第一導體層；并且

以該隔離結構為蝕刻終止層，回蝕刻該第一導體層。

12.如權利要求8所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中該間隙壁的形成方法包括：

在該基底上形成間隙壁材料層；并且

移除部分該間隙壁材料層，以在該溝槽側壁形成該間隙壁。

13.如權利要求8所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中該導體層的材料包括摻雜多晶硅。

14.如權利要求8所述的非揮發性存儲器的制造方法，還包括在形成該浮置柵極之后，在各該溝槽底部的該基底中形成源極區。

15.如權利要求14所述的非揮發性存儲器的制造方法，還包括在形成該源極區之后，在各該溝槽中形成第二導體層，該第二導體層覆蓋住該隔離結構，且與該源極區電連接。

16.如權利要求15所述的非揮發性存儲器的制造方法，還包括在形成該浮置柵極之后、形成該源極區之前，在各該溝槽中形成介電層，覆蓋住該浮置柵極。

17.如權利要求16所述的非揮發性存儲器的制造方法，還包括在形成該介電層的步驟之后、形成該源極區之前，在該介電層上形成保護層。

18.如權利要求17所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中該保護層的材料包括未摻雜多晶硅。