[發(fā)明專利]光掩膜復(fù)驗方法與系統(tǒng)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610108223.5
• 申請日: 2006-08-01
• 公開（公告）號: CN101118388A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃新政
• 申請（專利權(quán)）人: 力晶半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 呂曉章;李曉舒

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種工藝檢驗方法，且特別涉及一種光掩膜復(fù)驗方法。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)制造大規(guī)模集成(Large?Scale?Integration，以下簡稱為LSI)電路工藝中，使用光掩膜以在一半導(dǎo)體芯片上形成一既定的圖形，而該芯片是由硅(Silicon)或類似的材料所形成。藉由暴露該半導(dǎo)體芯片于光掩膜下，則會穿透該光掩膜及光學(xué)透鏡，以形成圖形于該半導(dǎo)體芯片上。當(dāng)光掩膜上的圖形具有缺陷時，該缺陷圖形會轉(zhuǎn)移到該半導(dǎo)體芯片上而制造出大量有問題的LSI電路。因此，對于制造VLSI電路而言，光掩膜的圖形檢驗工作是非重要且必要的。

對于制造LSI電路的光掩膜，有兩種檢驗的方法。其一為“die-to-die”檢驗法，用以比較由同一光掩膜所形成的不同位置的圖形。另一方法為“die-to-database”檢驗，其將實際光掩膜上的圖形與轉(zhuǎn)移光掩膜時使用的圖形相比對。“die”表示一特定圖形區(qū)域的集合或是關(guān)于圖像檢測，即定義為一圖形比較的檢測單元。“database”則表示一參考圖像的綜合，是來自關(guān)于由光學(xué)系統(tǒng)所檢測的實際圖形圖像的圖形數(shù)據(jù)。

傳統(tǒng)的光掩膜檢驗系統(tǒng)包括一X-Y臺座以設(shè)定一光掩膜、一高精確度的電射干涉器、一激光掃瞄光學(xué)裝置、一光傳導(dǎo)檢測單元、一光學(xué)圖像輸入單元、一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元、一圖像比較單元以及一控制器。該X-Y臺座用以設(shè)定一光掩膜。該高精確度的電射干涉器用以檢測X-Y臺座的位置。該激光掃瞄光學(xué)裝置利用激光束在光掩膜Y軸的方向進行掃瞄。該光傳導(dǎo)檢測單元用以檢測傳導(dǎo)的光。該光學(xué)圖像輸入單元用以接收來自光傳導(dǎo)檢測單元的光學(xué)圖像。該數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換單元用以轉(zhuǎn)換繪制在光掩膜上的圖案而成為綜合參考圖像。該圖像比較單元用以比較光學(xué)圖像以及參考圖像，以檢測出圖形的缺陷。該控制器用以控制整個光掩膜檢驗系統(tǒng)。

然而，若使用原始光掩膜檢驗系統(tǒng)的傳統(tǒng)光掩膜檢驗方法，欲檢驗一片光掩膜需花費數(shù)個小時的時間。因此，在激光干涉器檢驗X-Y臺座的過程中，由于環(huán)境的改變(溫度、濕度、大氣壓力)，必然會造成誤差。當(dāng)激光干涉器的檢驗結(jié)果包含誤差時，該X-Y臺座無法由一定點正確地移動，故即使光掩膜圖形沒有缺陷，亦會在光學(xué)圖像與參考圖像間產(chǎn)生界線。

為了解決上述問題，必須使用一昂貴且復(fù)雜的系統(tǒng)。此外，為了檢驗光掩膜是否有缺陷，各半導(dǎo)體廠使用各種不同的方法，且必須采購價格昂貴的檢驗機臺。本發(fā)明亦提供了一種光掩膜復(fù)驗方法，使得光掩膜檢驗的流程更加可靠且節(jié)省采購成本。

發(fā)明內(nèi)容

基于上述目的，本發(fā)明實施例揭露了一種光掩膜復(fù)驗方法。根據(jù)多個工藝權(quán)重因子對多個光掩膜進行排序，并且根據(jù)計算所得的權(quán)重決定上述光掩膜的優(yōu)先權(quán)以進行派工。根據(jù)工藝狀況依序決定是否對上述光掩膜執(zhí)行復(fù)驗的流程。若要復(fù)驗，則對其中一光掩膜執(zhí)行一復(fù)驗程序。將復(fù)驗后的光掩膜的優(yōu)先權(quán)進行重置，并且對下一光掩膜執(zhí)行上述派工與上述復(fù)驗的流程。

本發(fā)明實施例更揭露了一種光掩膜復(fù)驗系統(tǒng)。該光掩膜復(fù)驗系統(tǒng)包括一光掩膜儲存區(qū)、一派工系統(tǒng)以及一復(fù)驗系統(tǒng)。該光掩膜儲存區(qū)儲存已制作完成的多個光掩膜。該派工系統(tǒng)根據(jù)多個工藝權(quán)重因子對多個光掩膜進行排序，并且根據(jù)計算所得的權(quán)重決定上述光掩膜的優(yōu)先權(quán)以進行派工。該復(fù)驗系統(tǒng)根據(jù)工藝狀況依序決定是否對上述光掩膜執(zhí)行復(fù)驗的流程，若要復(fù)驗，則對其中一光掩膜執(zhí)行一復(fù)驗程序，將復(fù)驗后的光掩膜的優(yōu)先權(quán)進行重置，并且對下一光掩膜執(zhí)行上述派工與上述復(fù)驗的流程。

附圖說明

圖1是顯示本發(fā)明實施例的光掩膜復(fù)驗方法的步驟流程圖。

圖2是顯示本發(fā)明另一實施例的光掩膜復(fù)驗方法的步驟流程圖。

圖3是顯示本發(fā)明實施例的光掩膜復(fù)驗系統(tǒng)的架構(gòu)示意圖。

附圖符號說明

100～光掩膜儲存區(qū)

200～派工系統(tǒng)

300～復(fù)驗系統(tǒng)

具體實施方式

為了讓本發(fā)明的目的、特征、及優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖1至圖3，做詳細的說明。本發(fā)明說明書提供不同的實施例來說明本發(fā)明不同實施方式的技術(shù)特征。其中，實施例中的各組件的配置是說明之用，并非用以限制本發(fā)明。且實施例中附圖標(biāo)號的部分重復(fù)，是了簡化說明，并非意指不同實施例之間的關(guān)聯(lián)性。

本發(fā)明實施例揭露了一種光掩膜復(fù)驗方法與系統(tǒng)。

本發(fā)明實施例的光掩膜復(fù)驗方法與系統(tǒng)利用一線性統(tǒng)計公式，根據(jù)多個工藝因子并且加以加權(quán)，以找出具高潛在性風(fēng)險的光掩膜加以檢驗。

圖1是顯示本發(fā)明實施例的光掩膜復(fù)驗方法的步驟流程圖。