[發明專利]微顯示板表面平坦度改善方法、硅基液晶顯示板及其制法

無效

• 申請號: 200610094590.4
• 申請日: 2006-06-21
• 公開（公告）號: CN101093294A
• 公開（公告）日: 2007-12-26
• 發明（設計）人: 吳沂庭
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/133
• 分類號: G02F1/133;G02F1/136;G02F1/1333
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

1.一種改善微顯示面板表面平坦度的方法，包括：

提供半導體基底；

于該半導體基底上形成反射鏡層；

于該反射鏡層上形成墊高層；

將該墊高層及該反射鏡層定義出多個像素單元區，而于該些像素單元區之間形成間隙；

于該些像素單元區上沉積介電層，并且填滿該些間隙；

部分移除該介電層，使位于該墊高層上的介電層及位于該間隙的介電層上部被移除，并使得該間隙的介電層高度不低于該反射鏡層的頂部；及

移除部分或全部的該墊高層。

2.如權利要求1所述的方法，其中該墊高層包括復合層。

3.如權利要求2所述的方法，其中該復合層包括緩沖層為下層及停止層為上層。

4.如權利要求3所述的方法，進一步形成保護層于該緩沖層上以與該緩沖層結合而保護該反射鏡層。

5.如權利要求4所述的方法，進一步于該保護層上形成配向膜。

6.如權利要求3所述的方法，其中該移除部分或全部的該墊高層的步驟為移除該停止層。

7.如權利要求6所述的方法，于移除該停止層后，進一步移除該緩沖層。

8.如權利要求7所述的方法，于移除該緩沖層后，進一步形成保護層于該反射鏡層上以保護該反射鏡層。

9.如權利要求8所述的方法，進一步于該保護層上形成配向膜。

10.如權利要求3所述的方法，其中該緩沖層包括硅氧化物。

11.如權利要求3所述的方法，其中該停止層包括氮化鈦。

12.如權利要求4所述的方法，其中該保護層與該緩沖層結合而包括多層的硅氧化物層-氮硅化物層。

13.如權利要求8所述的方法，其中該保護層包括多層的硅氧化物層-氮硅化物層。

14.如權利要求1所述的方法，其中部分移除該介電層的步驟通過化學機械拋光工藝進行。

15.如權利要求1所述的方法，其中部分移除該介電層的步驟通過回蝕工藝進行。

16.如權利要求1所述的方法，其中該反射鏡層包括金屬。

17.如權利要求16所述的方法，其中該金屬包括鋁。

18.如權利要求1所述的方法，還包括下列步驟：

將透明導電層結合于該半導體基底上，使該些像素單元區位于該透明導電層與該半導體基底之間；及

進行一灌液晶工藝，將該半導體基底與該透明導電層的間隙充滿液晶。

19.一種制造硅基液晶顯示面板的方法，包括：

提供半導體基底；

于該半導體基底上形成反射鏡層；

于該反射鏡層上形成墊高層；

將該墊高層及該反射鏡層定義出多個像素單元區，而于該些像素單元區之間形成間隙；

于該些像素單元區上沉積介電層，并且填滿該些間隙；

部分移除該介電層，使位于該墊高層上的介電層及位于該間隙的介電層上部被移除，并使得該間隙的介電層高度不低于該反射鏡層的頂部；

移除該墊高層；

將透明導電層結合于該半導體基底上，使該些像素單元區位于該透明導電層與該半導體基底之間；及

進行灌晶工藝，將該半導體基底與該透明導電層的間隙充滿液晶。

20.如權利要求19所述的方法，其中該墊高層包括復合層。

21.如權利要求20所述的方法，其中移除該墊高層是部分移除該復合層。

22.如權利要求20所述的方法，其中該復合層包括緩沖層為下層及停止層為上層。

23.一種硅基液晶顯示面板，包括：

半導體基底；

多個反射鏡層單元，位于該半導體基底上，以作為像素電極以及光反射之用，其中該些反射鏡層單元之間的間隙填有介電層，且該介電層高度不低于該反射鏡層單元的頂部；

透明導電層，結合于該半導體基底上，且該些反射鏡層單元位于該透明導電層與該半導體基底之間；及

液晶層，位于該半導體基底與該透明導電層之間。