[發明專利]在移動基片上用電子束蒸發制備立方織構Y2O3薄膜的方法

有效

• 申請號: 200610089045.6
• 申請日: 2006-07-31
• 公開（公告）號: CN101117701A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發明（設計）人: 劉慧舟;楊堅;屈飛
• 申請（專利權）人: 北京有色金屬研究總院
• 主分類號: C23C14/30
• 分類號: C23C14/30;C23C14/08;C23C14/54;B08B3/12
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司
• 代理人: 程鳳儒

1、一種電子束蒸發在移動基片上制備立方織構Y₂O₃薄膜的方法，其特征在于：該方法包括以下步驟：

(1)在Ni或Ni合金帶材上裁取所需基片；所述的Ni或Ni合金帶材是經過軋制和再結晶退火處理的，具有強立方織構；或直接選取分子式為LaAlO₃的(100)鋁酸鑭單晶基片；

(2)在腔體內，將基片粘貼或焊接在不銹鋼基帶上，然后抽腔體真空至小于3×10^-4Pa，隨后在10～40分鐘內使基片溫度升至500℃～700℃，平衡10～30分鐘，通入O₂，將腔體的氣壓調至4～7×10^-3Pa，平衡5-15分鐘；

(3)在腔體內，采用電子束蒸發法，用電子槍電源，轟擊坩堝內純釔金屬表面；

(4)將工藝參數穩定在以下范圍：工作氣壓5.0～9.0×10^-3Pa，O₂的分壓2～5×10^-3Pa，膜料蒸發速率0.1～0.5nm/秒，并沿與膜料蒸發的垂直的方向移動不銹鋼基帶，不銹鋼基帶移動速率0.2～2mm/秒；

(5)待氣壓、束流、膜料蒸發速率及基帶移動速率穩定后，移開設在基帶前面的樣品擋板，開始沉積Y₂O₃緩沖層；

(6)在基帶上得到Y₂O₃緩沖層，結束沉積。

2、根據權利要求1所述的電子束蒸發在移動基片上制備立方織構Y₂O₃薄膜的方法，其特征在于：在所述的步驟(1)中，將基片先進行清洗，具體過程是：將基片放入酒精中進行超聲波清洗，除去表面的水分；然后放入丙酮中進行超聲波清洗，除去表面的油污。

3、根據權利要求1所述的電子束蒸發在移動基片上制備立方織構Y₂O₃薄膜的方法，其特征在于：在所述的步驟(2)的通入O₂至腔體內的過程中，是采用管路直接將O₂通向基片的沉積面。