[發明專利]金屬氧化物半導體晶體管的制作方法

有效

• 申請號: 200610084223.6
• 申請日: 2006-05-29
• 公開（公告）號: CN101083211A
• 公開（公告）日: 2007-12-05
• 發明（設計）人: 藍邦強;蔡振華;林育信;蔡宗龍;蔡成宗
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/8238
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

1.一種制作金屬氧化物半導體晶體管的方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成柵極結構；

在所述柵極結構周圍形成偏間隙壁；

在所述偏間隙壁周圍形成犧牲間隙壁；

以所述柵極結構及所述犧牲間隙壁作為掩模，進行蝕刻工藝，以在所述柵極結構兩側的所述基底中形成二凹槽；

進行選擇性外延工藝，以在所述凹槽中形成外延層，且所述外延層位于所述犧牲間隙壁的外側；

去除所述犧牲間隙壁；以及

在所述偏間隙壁外側的所述基底中，以及所述外延層中形成多個漏極/源極延伸區。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述外延層完成后，進行離子注入工藝，在所述外延層中注入摻雜物。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述選擇性外延工藝的外延材料包括有摻雜物。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述漏極/源極延伸區完成后，還包括以下步驟：

在所述偏間隙壁外側和部分所述外延層上方形成主要間隙壁；以及

以所述主要間隙壁作為掩模，進行離子注入工藝，在未被所述主要間隙壁覆蓋的所述外延層中形成多個漏極/源極。

5.一種制作互補式金屬氧化物半導體晶體管的方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一柵極結構、第二柵極結構；

在所述第一柵極結構周圍形成第一偏間隙壁；

在所述第二柵極結構周圍形成第二偏間隙壁；

在所述第二偏間隙壁周圍形成犧牲間隙壁；

在所述第一柵極結構和部分所述基底上方，形成圖案化硬掩模；

進行蝕刻工藝，以所述圖案化硬掩模、所述第二柵極結構及所述犧牲間隙壁作為蝕刻掩模，以在所述第二柵極結構兩側形成二凹槽；

去除所述圖案化硬掩模；以及

進行選擇性外延工藝，以形成外延層在所述凹槽中，且所述外延層位于所述犧牲間隙壁的外側；

去除所述第一偏間隙壁和所述犧牲間隙壁；

在所述第一柵極結構的兩側的所述基底中形成二第一漏極/源極延伸區；以及

在所述第二柵極結構的所述第二偏間隙壁外側的所述基底中形成二第二漏極/源極延伸區。

6.如權利要求5所述的方法，其中所述第二偏間隙壁和所述犧牲間隙壁由不同蝕刻選擇比的材料組成。

7.如權利要求5所述的方法，其中所述外延層完成后，還包括進行離子注入工藝，在所述外延層中注入摻雜物。

8.如權利要求5所述的方法，其中所述選擇性外延工藝的外延材料包括有摻雜物。

9.如權利要求5所述的方法，其中所述第一、第二漏極/源極延伸區完成后，又包括以下步驟：

在所述第二偏間隙壁外側和部分所述外延層上方形成主要間隙壁，以及在所述第一柵極結構周圍形成次偏間隙壁；

在所述第二柵極結構和部分所述基底上方形成第一光致抗蝕劑層；

進行第一離子注入工藝，以在所述第一柵極結構的兩側的所述基底中形成二第一漏極/源極；

去除所述第一光致抗蝕劑層；

在所述第一柵極結構和部分所述基底上方形成第二光致抗蝕劑層；以及

進行第二離子注入工藝，在未被所述主要間隙壁覆蓋的所述外延層中形成二第二漏極/源極。

10.一種制作互補式金屬氧化物半導體晶體管的方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一柵極結構、第二柵極結構；

在所述第一柵極結構周圍形成第一偏間隙壁，在所述第二柵極結構周圍形成第二偏間隙壁；

在所述第一偏間隙壁周圍形成第一犧牲間隙壁，并在所述第二偏間隙壁周圍所述形成第二犧牲間隙壁；

在所述基底上形成圖案化硬掩模；

進行蝕刻工藝，以所述圖案化硬掩模作為蝕刻掩模，以在所述第一、第二柵極結構兩側形成多個凹槽；

去除所述圖案化硬掩模；以及

進行選擇性外延工藝，以在所述凹槽中形成外延層，所述外延層分別位于所述第一、第二犧牲間隙壁的外側；

去除所述第一、第二犧牲間隙壁；以及

在所述第一柵極結構的第一偏間隙壁外側的所述基底中和第二柵極結構的第二偏間隙壁外側的所述基底中形成多個第一、第二漏極/源極延伸區。