[發明專利]太陽能集熱管真空磁控濺射連續鍍膜線系統

無效

• 申請號: 200610083743.5
• 申請日: 2006-06-05
• 公開（公告）號: CN101086059A
• 公開（公告）日: 2007-12-12
• 發明（設計）人: 章其初;陳革;孟秀清;王雙
• 申請（專利權）人: 黃鳴
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/54
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種太陽能集熱管真空磁控濺射連續鍍膜線系統，其特征是，鍍膜線系統由進管區(8)、鍍膜區(4)和出管區(19)組成，進管區由進管門閥(9)、進管室(1)、進管過渡室(2)和進管傳輸室(3)依次連接，鍍膜區(4)包括第一鍍膜室(25)、第二鍍膜室(26)及抽真空室(29)，抽真空室(29)側面裝有復合分子泵(15)，出管區(19)由出管傳輸室(5)、出管過渡室(6)和出管室(7)及出管閥門(18)依次連接，鍍膜線系統兩端分別裝有上管區(8)和下管區(19)，進管室(1)和出管室(7)均在側面通過高真空閥連接一輔助真空室(11)，輔助真空室(11)有羅茨泵和機械泵。

2.根據權利要求1所述的鍍膜線系統，其特征是，第二鍍膜室(26)是DMB型，由鍍膜后室和鍍膜前室兩部分組成，后室裝有孿生金屬靶(20、21)，反應濺射沉積陶瓷成分，孿生金屬靶(20、21)采用鋁或鋁合金，反應濺射氣體采用氮氣、氧氣或氮氧混合氣體，前室裝有兩個金屬靶(27、28)，濺射沉積金屬成分或含少量陶瓷，兩個金屬靶(27、28)采用不銹鋼或鎳鉻合金。

3.根據權利要求1所述的鍍膜線系統，其特征是，抽真空室與鍍膜室連接有A和B兩種類型，A型為單個抽真空室(29)，其兩側連第一鍍膜室(25)和第二鍍膜室(26)，B型為兩個抽真空室直接相連，每一個抽真空室(32)的另一側分別與第一鍍膜室(25)和第二鍍膜室(26)相連。