[發(fā)明專利]薄化晶片的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610082732.5
• 申請日: 2006-05-15
• 公開（公告）號: CN101075559A
• 公開（公告）日: 2007-11-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭治平
• 申請（專利權(quán)）人: 探微科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種薄化晶片的方法，特別是涉及一種利用熱釋放膠帶(thermal?release?tape)或紫外線膠帶(UV?tape)作為黏著層將晶片固定于承載晶片上，由此提升晶片薄化的厚度極限的方法。

背景技術(shù)

許多半導(dǎo)體元件與微機(jī)電元件，基于功能考慮或是尺寸需求，必須進(jìn)行晶片薄化工藝，以將晶片縮減至適當(dāng)厚度?，F(xiàn)行薄化晶片的方法受限于機(jī)器的承載機(jī)構(gòu)，例如靜電夾盤，因此晶片厚度的極限僅能達(dá)到約100微米，一旦厚度過薄，晶片極易產(chǎn)生破裂問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的之一在于提供一種薄化晶片的方法，以避免晶片破裂并提升晶片厚度的極限。

根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實施例，提供一種薄化晶片的方法。首先，提供晶片。接著利用黏著層將該晶片的一正面接合于承載晶片上，該黏著層包括熱釋放膠帶或紫外線膠帶。隨后進(jìn)行晶片薄化工藝，由該晶片的背面薄化該晶片。

為了進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖。然而附圖僅供參考與輔助說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖說明

圖1至圖10為本發(fā)明一優(yōu)選實施例薄化晶片的方法示意圖。

簡單符號說明

10??晶片????????????????12??正面

14??背面????????????????20??承載晶片

22??黏著層??????????????????????30??屏蔽圖案

32??背面圖案

具體實施方式

請參考圖1至圖10。圖1至圖10為本發(fā)明一優(yōu)選實施例薄化晶片的方法示意圖。如圖1所示，首先提供晶片10，其包括正面12與背面14。本實施例的晶片10為在其正面12已制作出所需的半導(dǎo)體元件或微機(jī)電元件(圖未示)，并待薄化的晶片，然而本發(fā)明的方法并不限于此，而可應(yīng)用于任何半導(dǎo)體工藝或微機(jī)電工藝中所需的晶片薄化工藝中。

如圖2所示，接著提供承載晶片20，例如半導(dǎo)體晶片、玻璃晶片、塑料晶片或石英晶片，并利用黏著層22將晶片10的正面12貼附于承載晶片20的表面，其中本發(fā)明使用熱釋放膠帶或紫外線膠帶作為黏著層22的材料。熱釋放膠帶的特性在于可利用加熱方式去除其黏性，因此當(dāng)溫度到達(dá)其釋放溫度(約為150至200℃)時，即可輕易在不損傷晶片10的情況下，使晶片10自承載晶片20的表面脫離。紫外線膠帶則可利用照射特定波長的紫外線的方式喪失其黏性，同樣具有可輕易在不損傷晶片10的情況下，使晶片10自承載晶片20的表面脫離的特性。因此，本發(fā)明薄化晶片的方法利用熱釋放膠帶或紫外線膠帶作為黏著層22的作法，使得后續(xù)即使晶片10的厚度被薄化至極薄的情況下，晶片10也不會在去除黏著層22時受損。

如圖3與圖4所示，接著進(jìn)行晶片薄化工藝，由晶片10的背面14薄化晶片10，直至其厚度縮減至所需的厚度。在本實施例中，晶片薄化工藝可區(qū)分為二階段，其中圖3所示為晶片薄化工藝的第一階段，而圖4所示則為晶片薄化工藝的第二階段。在圖3所示的第一階段中，由于晶片10仍具有較大的厚度，可先利用較快速的薄化方式，如粗磨(grinding)工藝，將晶片10的厚度初步縮減至適中的厚度。舉例來說，若晶片10為直徑為8英寸的標(biāo)準(zhǔn)晶片，則其初始厚度約為725微米，而于第一階段中可先將其厚度快速縮減至約300微米。在圖4所示的第二階段中，則視晶片10的最終厚度需求、表面狀態(tài)需求與應(yīng)力考慮等而采用不同的方法進(jìn)行。舉例來說，可利用等離子體蝕刻工藝全面性地薄化晶片10，或利用化學(xué)蝕刻工藝蝕刻晶片10使晶片10的背面14滿足對于表面粗糙度的需求，亦或是利用研磨拋光(polish)工藝使晶片10的背面14具有所需的表面光滑度。當(dāng)然，晶片薄化工藝的第二階段并不限定單獨使用上述任一方式，而可視實際狀況進(jìn)行上述工藝的組合，同時其它晶片薄化技術(shù)，例如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝等亦可選用。本實施例晶片薄化工藝的第一階段使用粗磨工藝，可加快晶片薄化的效率，而第二階段使用蝕刻工藝或研磨拋光工藝等方式，不僅可消除晶片10上由于粗磨工藝所殘留的應(yīng)力，更可滿足各種不同的規(guī)格需求。

如圖5所示，在晶片薄化工藝的第二階段后，可利用厚度測量儀器測量晶片10的厚度是否達(dá)到預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)，亦可利用檢測儀器確認(rèn)晶片10的表面狀態(tài)是否如預(yù)期，一旦晶片10的厚度或表面狀態(tài)未如預(yù)期則可重復(fù)進(jìn)行晶片薄化工藝直至滿足預(yù)定規(guī)格為止。