[發明專利]薄化晶片的方法

無效

• 申請號: 200610082732.5
• 申請日: 2006-05-15
• 公開（公告）號: CN101075559A
• 公開（公告）日: 2007-11-21
• 發明（設計）人: 郭治平
• 申請（專利權）人: 探微科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

1、一種薄化晶片的方法，包括：

提供晶片；

利用黏著層將所述晶片的正面接合于承載晶片上，所述黏著層包括熱釋放膠帶或紫外線膠帶；以及

進行晶片薄化工藝，由所述晶片的背面薄化所述晶片。

2、如權利要求1所述的方法，其中所述晶片薄化工藝包括等離子體蝕刻工藝。

3、如權利要求1所述的方法，其中所述晶片薄化工藝包括研磨拋光工藝。

4、如權利要求1所述的方法，其中所述晶片薄化工藝包括化學蝕刻工藝。

5、如權利要求1所述的方法，還包括在所述晶片薄化工藝后對所述晶片進行厚度測量工藝。

6、如權利要求1所述的方法，還包括在所述晶片薄化工藝后在所述晶片的所述背面上形成背面圖案。

7、如權利要求6所述的方法，其中形成所述背面圖案包括：

在所述晶片的所述背面形成屏蔽圖案；

進行蝕刻工藝，蝕刻未被所述屏蔽圖案覆蓋的所述晶片；以及

去除所述屏蔽圖案。

8、如權利要求7所述的方法，其中所述蝕刻工藝包括各向異性蝕刻工藝。

9、如權利要求7所述的方法，其中所述蝕刻工藝蝕穿所述晶片。

10、如權利要求6所述的方法，還包括在形成所述背面圖案后，移除所述黏著層，使所述晶片脫離所述承載晶片。