[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝基板及具有該基板的半導(dǎo)體封裝件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610077490.0 | 申請日： | 2006-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN101071798A | 公開（公告）日： | 2007-11-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張文亮;陳昌福;賴裕庭 | 申請（專利權(quán)）人： | 矽品精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498;H01L23/538;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 程偉 |
| 地址： | 臺灣省*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 具有 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝基板，其特征在于，該半導(dǎo)體封裝基板包括：
基板本體，具有用于接置芯片的芯片預(yù)置區(qū)以及形成于各該芯片預(yù)置區(qū)周圍用于搭配焊線電性連接至對應(yīng)芯片的多條電性連接墊；
至少一中繼焊接部，設(shè)置在基板本體上的芯片預(yù)置區(qū)外圍，進(jìn)行芯片打線制程前可在對應(yīng)的中繼焊接部試焊，防止因打線過程延遲造成芯片第一焊點(diǎn)的球形接點(diǎn)變硬造成芯片焊線脫落及虛焊現(xiàn)象。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝基板，其特征在于，該基板本體具有多個(gè)芯片預(yù)置區(qū)，且各該芯片預(yù)置區(qū)是相互間隔設(shè)置。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝基板，其特征在于，該中繼焊接部是設(shè)置在芯片預(yù)置區(qū)外圍鄰近于該第一焊點(diǎn)的位置。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝基板，其特征在于，該球形接點(diǎn)是以焊線材質(zhì)所形成的焊球。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝基板，其特征在于，該焊球的材質(zhì)是金(Gold)。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝基板，其特征在于，該中繼焊接部是設(shè)在基板本體上對應(yīng)芯片預(yù)置區(qū)外圍的單一電性連接墊。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝基板，其特征在于，該多條電性連接墊是環(huán)設(shè)在對應(yīng)的芯片預(yù)置區(qū)周圍。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝基板，其特征在于，該基板本體是一單芯片球柵陣列(PBGA)基板。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝基板，其特征在于，該基板本體是一多芯片模塊球柵陣列(Multi-Chip?Module?Ball?Grid?Array，MCMBGA)基板。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝基板，其特征在于，該基板本體是一細(xì)微間距球柵陣列封裝(Thin&Fine?BGA，TFBGA)基板。
11.一種半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該半導(dǎo)體封裝件包括：
基板，包括接置芯片的芯片預(yù)置區(qū)的基板本體以及設(shè)置在該基板本體上的芯片預(yù)置區(qū)外圍的至少一中繼焊接部，進(jìn)行芯片打線制程前可在對應(yīng)的中繼焊接部試焊，防止因打線過程延遲造成芯片第一焊點(diǎn)球形接點(diǎn)變硬所造成的芯片焊線脫落及虛焊現(xiàn)象；以及
封裝膠體，形成于該基板上并包覆該芯片。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該基板還包括形成于各該芯片預(yù)置區(qū)周圍用于搭配焊線電性連接至對應(yīng)芯片的多條電性連接墊。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該多條電性連接墊是環(huán)設(shè)在對應(yīng)的芯片預(yù)置區(qū)周圍。
14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該基板本體具有多個(gè)芯片預(yù)置區(qū)，且各該芯片預(yù)置區(qū)是相互間隔設(shè)置。
15.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該中繼焊接部是設(shè)置在芯片預(yù)置區(qū)外圍鄰近于該第一焊點(diǎn)的位置。
16.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該球形接點(diǎn)是以焊線材質(zhì)所形成的焊球。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該焊球的材質(zhì)是金(Gold)。
18.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該中繼焊接部是設(shè)在基板本體上對應(yīng)芯片預(yù)置區(qū)外圍的單一電性連接墊。
19.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該基板本體是一單芯片球柵陣列(PBGA)基板。
20.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該基板本體是一多芯片模塊球柵陣列(Multi-Chip?Module?Ball?Grid?Array，MCMBGA)基板。
21.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該基板本體是一細(xì)微間距球柵陣列封裝(Thin&Fine?BGA，TFBGA)基板。
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