[發(fā)明專利]整合于半導(dǎo)體集成電路結(jié)構(gòu)的變壓器的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610074355.0
• 申請日: 2006-04-17
• 公開（公告）號: CN101060097A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 洪建州;曾華洲;梁其翔;陳佑嘉;許村來
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/02;H01L21/768;H01L27/00;H01F41/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

1.一種整合于半導(dǎo)體集成電路結(jié)構(gòu)的變壓器的制作方法，包括以下步驟：

提供基底；

于該基底上同時形成頂層金屬內(nèi)連線層與主繞組層；

于該基底表面形成絕緣層，該絕緣層覆蓋該主繞組層與該頂層金屬內(nèi)連線層，且該絕緣層具有多個開口，暴露出部分該頂層金屬內(nèi)連線層；以及

于該絕緣層上同時形成副繞組層與至少一個金屬焊墊，且該金屬焊墊通過該些開口與該頂層金屬內(nèi)連線層電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該基底還包括有源電路以及至少一金屬內(nèi)連線層設(shè)于該基底上。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該絕緣層的厚度為100-500埃。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該頂層金屬內(nèi)連線層與該主繞組層是通過實施銅工藝而同時形成于該基底上。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該副繞組層的材料包括鈦、氧化鈦、鋁或上述金屬的合金。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該主繞組層與該副繞組層分別具有線圈圖案。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中該主繞組層與該副繞組層的線圈圖案為部分重疊。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該主繞組層與該副繞組層的線圈圖案為共軸。

9.如權(quán)利要求6所述的方法，其中該主繞組層的線寬小于該副繞組層的線寬。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括于該基底上形成保護(hù)層的步驟，該保護(hù)層覆蓋該副繞組層并暴露出該金屬焊墊。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中該保護(hù)層的材料包括氮化硅。

12.一種整合于半導(dǎo)體集成電路結(jié)構(gòu)的變壓器，包括：

基底；

主繞組層與頂層金屬內(nèi)連線層設(shè)置于該基底上；

絕緣層，設(shè)置于該主繞組層與該頂層金屬內(nèi)連線層上，且該絕緣層具有多個開口暴露出部分該頂層金屬內(nèi)連線層；以及

副繞組層與至少一個金屬焊墊，該副繞組層與該金屬焊墊分別設(shè)置于該絕緣層上與該頂層金屬內(nèi)連線層上，且該金屬焊墊通過該些開口電連接至該頂層金屬內(nèi)連線層；

其中，該主繞組層與該副繞組層構(gòu)成該變壓器，

該主繞組層與該頂層金屬內(nèi)連線層整合于同一水平面，

該副繞組層與該金屬焊墊整合于同一水平面。

13.如權(quán)利要求12所述的整合于半導(dǎo)體集成電路結(jié)構(gòu)的變壓器，其中該基底還包括有源電路與至少一金屬內(nèi)連線層。

14.如權(quán)利要求12所述的整合于半導(dǎo)體集成電路結(jié)構(gòu)的變壓器，其中該絕緣層的厚度為100～500埃。

15.如權(quán)利要求12所述的整合于半導(dǎo)體集成電路結(jié)構(gòu)的變壓器，其中該主繞組層的材料包括銅。

16.如權(quán)利要求12所述的整合于半導(dǎo)體集成電路結(jié)構(gòu)的變壓器，其中該副繞組層的材料包括鈦、氧化鈦、鋁或上述金屬的合金。

17.如權(quán)利要求12所述的整合于半導(dǎo)體集成電路結(jié)構(gòu)的變壓器，其中該主繞組層與該副繞組層分別具有一線圈圖案。

18.如權(quán)利要求17所述的整合于半導(dǎo)體集成電路結(jié)構(gòu)的變壓器，其中該主繞組層與該副繞組層的線圈圖案為部分重疊。

19.如權(quán)利要求18所述的整合于半導(dǎo)體集成電路結(jié)構(gòu)的變壓器，其中該主繞組層與該副繞組層的線圈圖案為共軸。

20.如權(quán)利要求17所述的整合于半導(dǎo)體集成電路結(jié)構(gòu)的變壓器，其中該主繞組層的線寬小于該副繞組層的線寬。

21.如權(quán)利要求12所述的整合于半導(dǎo)體集成電路結(jié)構(gòu)的變壓器，還包括保護(hù)層，覆蓋該副繞組層，并暴露出該金屬焊墊。

22.如權(quán)利要求21所述的整合于半導(dǎo)體集成電路結(jié)構(gòu)的變壓器，其中該保護(hù)層的材料包括氮化硅。