[發(fā)明專利]一種ZnO基量子點(diǎn)發(fā)光二極管無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200610053608.6 | 申請(qǐng)日： | 2006-09-26 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN1925178A | 公開(kāi)（公告）日： | 2007-03-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 葉志鎮(zhèn);曾昱嘉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 浙江大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L33/00 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 | 代理人： | 韓介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 zno 量子 發(fā)光二極管 | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于浙江大學(xué)，未經(jīng)浙江大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200610053608.6/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專利
- 專利分類(lèi)
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
- 一種降低水熱法ZnO晶體的螺旋位錯(cuò)密度的方法
- 一種非極性ZnO基發(fā)光器件及其制備方法
- 一種發(fā)光顏色可調(diào)的半導(dǎo)體發(fā)光材料及制備方法
- 一種耐腐蝕ZnO薄膜及其制備方法
- 一種ZnO同質(zhì)pn結(jié)及其制備方法
- ZnO溶膠復(fù)合Sn摻雜ZnO厚膜的制備方法
- 一種ZnO/Ag/ZnO復(fù)合透明導(dǎo)電薄膜的制備方法
- 基于種子層結(jié)構(gòu)控制的超疏水自清潔玻璃的制備方法
- 一種含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al異質(zhì)結(jié)的LED及其制備方法
- ZnO納米棒/碳纖維的制備方法及其在光電降解有機(jī)染料中的應(yīng)用
