[發明專利]一種提高倒裝焊芯片亮度的方法

無效

• 申請號: 200610030770.6
• 申請日: 2006-09-04
• 公開（公告）號: CN101140963A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發明（設計）人: 馮雅清;葉國光;應華兵;章加奇
• 申請（專利權）人: 上海藍寶光電材料有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/60
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司
• 代理人: 翁若瑩

1.一種提高倒裝焊芯片亮度的方法，其特征在于，將高反射率的金屬取代傳統高吸光金屬電路、增大金屬電路面積，從而降低硅基板的吸光區域，以及吸光的金球鍍上一層高反射率金屬，降低金屬吸光，其方法為：

(1)首先用熱反應爐使50～500μm厚的硅熱沉基板(18)表面氧化，生成0.1～10um厚的一層二氧化硅，用曝光機光刻出占硅熱沉基板(18)的表面面積在40％～95％的相鄰兩塊二氧化硅膜(17)，用1％～30％氫氟酸緩沖溶液將不需要的二氧化硅蝕刻掉；

(2)用蒸鍍機蒸鍍上一層0.1～10μm厚的高反射率的金屬鈦鎳銀于二氧化硅膜(17)上，用硝酸鐵蝕刻出占硅熱沉基板(18)的表面面積百分比在60％～98％的相鄰兩塊鈦鎳銀金屬正負電極(15)；

(3)其次在兩塊正負電極(15)表面用植球機分別植上金球(14)，接著在兩塊正負電極(15)和金球(14)上用蒸鍍機鍍上一層0.1～10μm的高反射率金屬層，然后通過1％～30％氫氟酸溶液蝕刻的金屬層(16)黏附在正負電極(15)和金球(14)上；

(4)最后用邦定機將芯片倒置，使芯片電極(13)與金球(14)對準，通過50～300攝氏度加熱、0.1～10W功率超聲，使芯片電極(13)與金球(14)牢固結合。

2.根據權利要求1所述的一種提高倒裝焊芯片亮度的方法，其特征在于，所述的金屬層為銀或鋁層。