[發明專利]雙鑲嵌結構的制造方法

有效

• 申請號: 200610029908.0
• 申請日: 2006-08-10
• 公開（公告）號: CN101123243A
• 公開（公告）日: 2008-02-13
• 發明（設計）人: 寧先捷
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種雙鑲嵌結構的制造方法，包括：

提供一表面具有第一介質層的半導體襯底；

在所述第一介質層中形成金屬互連線；

在所述第一介質層和所述導電結構層表面形成覆蓋層；

在所述覆蓋層上形成第二介質層并在所述第二介質層中形成連接孔；

在所述第二介質層上形成三層結構；

刻蝕所述三層結構和所述覆蓋層直至露出所述金屬互連線；

填充金屬材料形成雙鑲嵌結構。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述三層結構包括底部抗反射層、遮擋層和光致抗蝕劑層，所述底部抗反射層覆蓋所述第二介質層的表面，所述遮擋層形成于所述抗反射層表面，所述光致抗蝕劑層構圖于所述遮擋層表面。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于：所述遮擋層為利用等離子增強化學氣相淀積工藝在150℃～300℃的溫度范圍內淀積形成。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于：所述遮擋層為富硅聚合物，利用旋涂(spin-on)工藝形成，厚度為500～4000。

5.如權利要求3所述的方法，其特征在于：所述遮擋層為氧化硅，厚度為300～3000。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二介質層為碳氧化硅(SiCO)，氧化硅或氟化硅玻璃，厚度為1000～20000。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述覆蓋層為氮化硅或氮氧化硅或氮碳氧化硅，厚度為200～1200。

8.如權利要求2或6所述的方法，其特征在于：位于所述第二介質層表面上的所述底部抗反射層的厚度為1000～8000。

9.如權利要求2所述的方法，其特征在于：所述光致抗蝕劑層的厚度為1000～20000。

10.一種雙鑲嵌結構的制造方法，包括：

提供一表面具有介質層的半導體襯底，在所述介質層中形成金屬互連線；

平坦化所述介質層和所述金屬互連線；

在所述介質層和所述導電結構層表面形成覆蓋層；

在所述覆蓋層上形成層間介電層，在所述層間介電層中形成連接孔；

在具有連接孔的層間介電層上覆蓋底部抗反射層；

在所述底部抗反射層表面形成遮擋層；

在所述遮擋層表面涂覆光致抗蝕劑并圖案化所述光至抗蝕劑以定義溝槽開口；

刻蝕所述光至抗蝕劑和所述遮擋層；

刻蝕所述遮擋層、底部抗反射層和層間介電層；

去除剩余的底部抗反射層和溝槽底部對應所述互連線位置的覆蓋層；

然后向連接孔和溝槽中填充金屬便形成了雙鑲嵌結構。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于：所述遮擋層利用等離子增強化學氣相淀積工藝在150℃～300℃的溫度范圍內形成。

12.如權利要求10所述的方法，其特征在于：所述遮擋層為信越(Shinetzu)公司商標為SHB的富硅聚合物利用旋涂(spin-on)工藝形成，厚度為500～4000。

13.如權利要求11所述的方法，其特征在于：所述遮擋層為氧化硅，厚度為300～3000。

14.如權利要求10所述的方法，其特征在于：所述層間介質層為應用材料(Applied?Materials)公司商標為黑鉆石的碳氧化硅(SiCO)、氧化硅或氟化硅玻璃，厚度為1000～20000。

15.如權利要求10所述的方法，其特征在于：所述覆蓋層為氮化硅或氮氧化硅或氮碳氧化硅，厚度為200～1200。

16.如權利要求10或14所述的方法，其特征在于：位于所述第二介質層表面上的所述底部抗反射層的厚度為1000～8000。

17.如權利要求10所述的方法，其特征在于：所述光致抗蝕劑的厚度為1000～20000。