[發明專利]用于高壓制程的器件隔離結構及其制作方法

無效

• 申請號: 200610029248.6
• 申請日: 2006-07-21
• 公開（公告）號: CN101110423A
• 公開（公告）日: 2008-01-23
• 發明（設計）人: 錢文生;陳曉波;伍宏
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L21/822;H01L21/762
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 顧繼光

1.一種用于高壓制程的器件隔離結構，其特征在于：包括具有低壓區域和高壓區域的半導體硅襯底，通過光刻打開低壓區域并且在低壓區域形成STI隔離結構，通過光刻打開高壓區域并且在高壓區域形成LOCOS隔離結構。

2.根據權利要求1所述的用于高壓制程的器件隔離結構，其特征在于：所述LOCOS隔離結構高出半導體襯底平面的二氧化硅研磨平整。

3.一種如權利要求1所述的器件隔離結構的制作方法，其特征在于：包括如下步驟：

首先，在半導體襯底上，通過光刻在低壓區域利用標準STI工藝制作STI隔離結構；

然后，通過光刻打開高壓區域，在保持低壓區域不受影響的前提下，在高壓區域利用標準LOCOS制作工藝制作隔離結構。

4.一種如權利要求1或2中任何一項所述的器件隔離結構的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

首先，在半導體襯底上，通過光刻在高壓區域利用標準LOCOS工藝制作LOCOS隔離結構；

利用CMP工藝，將高壓隔離LOCOS區域高出硅襯底平面的二氧化硅稍許研磨平整；

通過光刻打開低壓區域，在保持高壓區域不受影響的前提下，在低壓區域利用標準STI工藝制作STI隔離結構。