[發明專利]硅片表面的處理方法有效
| 申請號： | 200610028784.4 | 申請日： | 2006-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN101106083A | 公開（公告）日： | 2008-01-16 |
| 發明（設計）人： | 蘇曉平;江彤 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306;H01L31/18;C23F1/10;C23F1/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅片 表面 處理 方法 | ||
1.一種硅片表面的處理方法，其特征在于，包括步驟：
配制含有硝酸鉀、氫氟化氨和硫酸的混合液；
將硅片浸入所述混合液中；
取出硅片。
2.如權利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述混合液中各組份的配制量比例分別為：5％至30％的氟化氫氨，1％至20％的硝酸鉀以及50％至95％的硫酸。
3.如權利要求2所述的處理方法，其特征在于：當所述混合液的溫度升高達到3至10℃時，取出硅片。
4.如權利要求1所述的處理方法，其特征在于：當所述浸入時間達到30秒至30分鐘后，取出硅片。
5.如權利要求1或3或4所述的處理方法，其特征在于：所述方法進一步包括在所述混合液中加入微量的硝酸鉀和氫氟化氨，浸入新的硅片。
6.如權利要求5所述的處理方法，其特征在于：所述微量為所述配制量的5％至20％。
7.一種硅表面處理方法，其特征在于，包括：
配制混合液；
將硅片浸入所述混合液中；
檢測混合液的溫度；
當混合液的溫升達到特定值時，取出硅片。
8.如權利要求7所述的處理方法，其特征在于：所述混合液含有硝酸鉀、氫氟化氨和硫酸。
9.如權利要求8所述的處理方法，其特征在于，所述混合液中各組份的配制量比例分別為：5％至30％的氟化氫氨，1％至20％的硝酸鉀以及50％至95％的硫酸。
10.如權利要求9所述的處理方法，其特征在于：所述特定值為3至10℃。
11.如權利要求7或10所述的處理方法，其特征在于：所述方法進一步包括在所述混合液中加入微量的硝酸鉀和氫氟化氨，浸入新的硅片。
12.如權利要求11所述的處理方法，其特征在于：所述微量為所述配制量的5％到20％。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
