[發(fā)明專利]在鈦基底材料表面制備二氧化鈦納米管陣列層的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610022386.1
• 申請日: 2006-12-01
• 公開（公告）號: CN101191248A
• 公開（公告）日: 2008-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮波;初薛基;翁杰;魯雄;汪建新;屈樹新
• 申請（專利權(quán)）人: 西南交通大學(xué)
• 主分類號: C25D11/26
• 分類號: C25D11/26
• 代理公司: 成都信博專利代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 張澎

1.一種在鈦基底材料表面制備二氧化鈦納米管陣列層的方法，鈦基材經(jīng)表面預(yù)處理后在含HF酸的電解液中進(jìn)行電化學(xué)陽極氧化處理，經(jīng)所述電化學(xué)陽極氧化處理后的鈦基材再經(jīng)熱處理，得到銳鈦礦型二氧化鈦納米管陣列，其特征在于，采用如下的步驟獲得二氧化鈦納米管陣列層：

1)、鈦基材經(jīng)逐級表面打磨后依次在丙酮，蒸餾水中超聲清洗；清洗后的鈦基材在含6.0mol/L硝酸和微量氫氟酸混合溶液中酸蝕至無氣泡產(chǎn)生，然后用蒸餾水沖洗基材表面，快速吹干后在空氣中室溫干燥得到刻蝕后鈦基材；

2)、由1)得到的刻蝕后鈦基材放入如下成分的混合電解液中：磷酸二氫銨1～3mol/L，氫氟酸0.2～0.4mol/L；進(jìn)行恒壓陽極氧化，具體電解參數(shù)為：電壓20V，電極間距為2～5cm，電解槽溫度保持在室溫；

3)、對2)得到的具有非晶態(tài)二氧化鈦納米管表面構(gòu)造的制品進(jìn)行熱處理：空氣氣氛下，升溫速度為3℃/min，450℃保溫3小時(shí)，然后隨爐冷至室溫；最后在純鈦基底表面制備銳鈦礦型二氧化鈦納米管陣列層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述之在鈦基底材料表面制備二氧化鈦納米管陣列層的方法，其特征在于，所述非晶態(tài)二氧化鈦納米管在垂直于基底方向產(chǎn)生，管徑80～100nm，管長為0.7～2.0μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述之在鈦基底材料表面制備二氧化鈦納米管陣列層的方法，其特征在于，所述鈦基材為純鈦或鈦合金。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述之在鈦基底材料表面制備二氧化鈦納米管陣列層的方法，其特征在于，混合電解液中加入有無水乙醇。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述之在鈦基底材料表面制備二氧化鈦納米管陣列層的方法，其特征在于，混合電解液中加入有雙氧水。