[發明專利]線放電加工方法、半導體晶片制造方法以及太陽能電池用單元制造方法

有效

• 申請號: 200580052095.0
• 申請日: 2005-11-16
• 公開（公告）號: CN101309770A
• 公開（公告）日: 2008-11-19
• 發明（設計）人: 佐藤達志;今井祥人;高橋悌史;坂田剛志;千代知子;西本陽一郎;松野繁;前川武之;巖田高明
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: B23H7/02
• 分類號: B23H7/02
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 郭放

1.一種線放電加工方法，通過在線電極上施加脈沖寬度大于等于1μsec且小于等于4μsec、并且線電極在加工時的峰值電流大于等于10A且小于等于50A的脈沖電壓，在上述線電極與具有大于等于0.5Ω·cm且小于等于5Ω·cm的電阻率的加工對象物之間發生放電脈沖，對上述加工對象物進行加工。

2.根據權利要求1所述的線放電加工方法，其特征在于：在以短的周期重復了脈沖電壓的施加后，將設置不施加電壓的期間的脈沖組波形施加在線電極上。

3.根據權利要求2所述的線放電加工方法，其特征在于：將不施加電壓的期間設定得比以短周期重復一組脈沖電壓施加的期間長。

4.一種半導體晶片制造方法，其特征在于：通過在線電極上施加脈沖寬度大于等于1μsec且小于等于4μsec、并且線電極在加工時的峰值電流大于等于10A且小于等于50A的脈沖電壓，在上述線電極與具有大于等于0.5Ω·cm且小于等于5Ω·cm的電阻率的半導體材料之間發生放電脈沖，對上述半導體材料進行切片加工以制造薄板形的半導體晶片。

5.根據權利要求4所述的半導體晶片制造方法，其特征在于：半導體材料是P型硅，將該P型硅的電位設定得比線電極的電位高來發生放電。

6.根據權利要求4或者5所述的半導體晶片制造方法，其特征在于：在以短的周期重復了一組脈沖電壓的施加后，將設置不施加電壓的期間的脈沖組波形施加在線電極上。

7.根據權利要求6所述的半導體晶片制造方法，其特征在于：將不施加電壓的期間設定得比以短的周期重復一組脈沖電壓施加的期間長。

8.一種太陽能電池用單元制造方法，通過在線電極上施加脈沖寬度大于等于1μsec且小于等于4μsec、并且線電極在加工時的峰值電流大于等于10A且小于等于50A的脈沖電壓，在上述線電極與經歷了擴散工序而成為n+層的太陽能電池用硅晶片的側面之間發生放電脈沖，經由通過實施除去上述n+層的加工來分離受光面與背面的擴散層的pn分離工序來制造太陽能電池用單元。

9.根據權利要求8所述的太陽能電池用單元制造方法，其特征在于：作為n+層的除去加工對象的太陽能電池用硅晶片的側面包括將多個該太陽能電池用硅晶片的受光面一側相重疊而形成的上述太陽能電池用硅晶片的多個側面。

10.一種太陽能電池用單元制造方法，其特征在于：

在對太陽能電池用半導體晶片的受光面實施了放電加工后，將附著在上述太陽能電池用半導體晶片加工面上的金屬成分用作掩模來實施絨面工序，

在受光面上實施的放電加工是使用通過在線電極上施加脈沖寬度大于等于1μsec且小于等于4μsec、并且線電極在加工時的峰值電流大于等于10A且小于等于50A的脈沖電壓，在上述線電極與具有大于等于0.5Ω·cm且小于等于5Ω·cm的電阻率的太陽能電池用半導體晶片之間發生的放電脈沖的線放電加工。

11.根據權利要求10所述的太陽能電池用單元制造方法，其特征在于：在太陽能電池用半導體晶片的受光面上施加的放電加工是在用于形成太陽能電池用半導體晶片的太陽能電池用半導體材料的切片工序中使用的線放電加工。

12.根據權利要求10或11所述的太陽能電池用單元制造方法，其特征在于：在絨面工序中實施使用了混酸的刻蝕處理。

13.根據權利要求10或11所述的太陽能電池用單元制造方法，其特征在于：在絨面工序中實施反應性離子刻蝕處理。