[發(fā)明專利]生產(chǎn)系統(tǒng)、生產(chǎn)方法、管理裝置、管理方法以及程序

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200580051556.2
• 申請日: 2005-09-13
• 公開（公告）號: CN101258453A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 岡安俊幸;須川成利;寺本章伸
• 申請（專利權(quán)）人: 愛德萬測試株式會(huì)社;國立大學(xué)法人東北大學(xué)
• 主分類號: G05B19/418
• 分類號: G05B19/418
• 代理公司: 北京英特普羅知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 齊永紅

1、一種管理方法，是管理采用多道生產(chǎn)工序生產(chǎn)電子器件的生產(chǎn)線產(chǎn)品質(zhì)量的管理方法，其特征在于，包括：

生產(chǎn)階段，其通過前述生產(chǎn)線生產(chǎn)晶片，該晶片具有含多個(gè)被測定晶體管的測試電路；

測定階段，其測定前述多個(gè)被測定晶體管各自的電特性；

確定階段，其根據(jù)前述電特性不滿足預(yù)定基準(zhǔn)的前述被測定晶體管在前述晶片上的分布，確定前述多道生產(chǎn)工序中產(chǎn)生不良的生產(chǎn)工序。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的管理方法，其特征在于：

前述生產(chǎn)階段通過前述生產(chǎn)線生產(chǎn)前述晶片，該晶片具有前述測試電路，該測試電路包括呈二維矩陣形排列，各自含有前述被測定晶體管的多個(gè)被測定電路，以及使指定的一個(gè)前述被測定電路的輸出信號向前述多個(gè)被測定電路共同設(shè)置的輸出信號線輸出的選擇部；

前述測定階段具有：

晶體管選擇階段，其通過前述選擇部依次選擇前述多個(gè)被測定電路；

輸出測定階段，其根據(jù)選擇出的前述被測定電路向前述輸出信號線輸出的前述輸出信號，測定各個(gè)前述被測定電路具有的前述被測定晶體管的電特性。

3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的管理方法，其特征在于：

各個(gè)前述被測定電路包括：

柵極電壓控制部，其把指定的柵極電壓外加給前述被測定晶體管的柵極端子；

基準(zhǔn)電壓輸入部，其把從外部輸入的基準(zhǔn)電壓提供給前述被測定晶體管的漏極端子以及源極端子中的一方的基準(zhǔn)電壓側(cè)端子；

端子電壓輸出部，其以從外部輸入選擇信號為條件，把前述被測定晶體管的漏極端子以及源極端子中前述基準(zhǔn)電壓側(cè)端子以外的端子的端子電壓作為前述輸出信號輸出；

前述選擇部包括：

行選擇部，其向二維矩陣形排列的前述多個(gè)被測定電路中，與指定的行對應(yīng)的被測定電路輸出前述選擇信號；

列選擇部，其選擇輸入前述選擇信號的前述被測定電路中，與指定的列對應(yīng)的前述被測定電路的端子電壓之后，向前述輸出信號線輸出；

前述測試電路還包括多個(gè)電流源，其與前述多個(gè)被測定電路的各列對應(yīng)設(shè)置，使指定的源極漏極間電流流向由前述行選擇部輸入前述選擇信號的前述被測定電路；

前述輸出測定階段作為各個(gè)前述被測定晶體管的前述電特性，測定前述端子電壓。

4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的管理方法，其特征在于：

前述測定階段針對各個(gè)前述被測定晶體管，根據(jù)前述基準(zhǔn)電壓以及前述端子電壓，把該被測定晶體管的閾值電壓作為前述電特性進(jìn)行測定。

5、根據(jù)權(quán)利要求2所述的管理方法，其特征在于：

各個(gè)前述被測定電路包括：

柵極電壓控制部，其把指定的柵極電壓外加給前述被測定晶體管的柵極端子；

電壓外加部，其給前述被測定晶體管的源極端子及漏極端子外加電壓，把外加給被測定晶體管的柵極絕緣膜上的電壓控制為大致一定；

電容器，其儲存從前述被測定晶體管的前述柵極端子流向前述源極端子以及前述漏極端子的柵極漏電流；

電容器電壓輸出部，其以從外部輸入選擇信號為條件，把前述電容器中的前述源極端子以及前述漏極端子側(cè)的端部電容器電壓作為前述輸出信號輸出；

前述輸出測定階段，作為各個(gè)前述被測定晶體管的電特性，測定前述電容器電壓。

6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的管理方法，其特征在于：

前述生產(chǎn)階段具有：

器件形成階段，其在前述晶片上形成方格形的多個(gè)前述電子器件；

測試電路形成階段，其在位于前述晶片上的前述電子器件間的多個(gè)區(qū)域內(nèi)分別形成多個(gè)前述測試電路；

前述確定階段根據(jù)前述多個(gè)測試電路中含有的，前述電特性不滿足預(yù)定基準(zhǔn)的前述被測定晶體管在前述晶片上的分布，確定產(chǎn)生了不良的前述生產(chǎn)工序。

7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的管理方法，其特征在于：

前述確定階段以判斷為前述電特性不滿足預(yù)定基準(zhǔn)的兩個(gè)以上的前述被測定晶體管在前述晶片上處于圓形位置為條件，確定通過使前述晶片回轉(zhuǎn)進(jìn)行處理的前述生產(chǎn)工序中產(chǎn)生了不良。

8、根據(jù)權(quán)利要求1所述的管理方法，其特征在于：

前述確定階段以判斷為前述電特性不滿足預(yù)定基準(zhǔn)的兩個(gè)以上的前述被測定晶體管在前述晶片上處于十字形位置為條件，確定使用等離子的前述生產(chǎn)工序中產(chǎn)生了不良。