[發明專利]非水電解液二次電池的制造方法有效
| 申請號： | 200580049810.5 | 申請日： | 2005-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN101180761A | 公開（公告）日： | 2008-05-14 |
| 發明（設計）人： | 本田仁彥;安田清隆;坂口善樹 | 申請（專利權）人： | 三井金屬礦業株式會社 |
| 主分類號： | H01M10/40 | 分類號： | H01M10/40;H01M4/40;H01M4/02;H01M4/48;H01M4/38;H01M4/62 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人： | 陳建全 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 水電 二次 電池 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種非水電解液二次電池的制造方法，該方法是使隔膜介于包含硅類材料的部件和正極之間，并且使金屬鋰層介于隔膜和所述部件之間，在該狀態下進行規定時間的老化，使鋰嵌入硅類材料中。
2.如權利要求1所述的非水電解液二次電池的制造方法，其中，進行嵌入使硅類材料中的鋰量相對于硅的初期充電理論容量為5～50％。
3.如權利要求1所述的非水電解液二次電池的制造方法，其中，正極具有含鋰的正極活性物質，并進行鋰的嵌入使滿足下式(1)，
4.4A-B≥C????(1)
式中，A表示包含硅類材料的部件中的硅的摩爾數，B表示含鋰的正極活性物質中的鋰的摩爾數，C表示被嵌入的鋰的摩爾數。
4.如權利要求1所述的非水電解液二次電池的制造方法，其中，在10～80℃的狀態下進行老化。
5.如權利要求1所述的非水電解液二次電池的制造方法，其中，進行老化直至金屬鋰層被完全嵌入。
6.如權利要求1所述的非水電解液二次電池的制造方法，其中，硅類材料為粒子狀，在該粒子之間的空隙中浸透有鋰化合物形成能力低的金屬材料。
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