[發明專利]離子束利用的最優化

無效

• 申請號: 200580047494.8
• 申請日: 2005-11-08
• 公開（公告）號: CN101111926A
• 公開（公告）日: 2008-01-23
• 發明（設計）人: A·雷;M·格雷夫
• 申請（專利權）人: 艾克塞利斯技術公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01J37/317
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 曾祥夌;王小衡

1.一種在離子注入基片期間最優化離子束利用的方法，其中晶片在快掃描方向上和大體上正交的慢掃描方向上通過所述離子束，所述方法包括：

為離子注入提供工藝配方，其中大體上確定所述離子束的剖面；

提供一組性能判據，其中包括如下各項中的一個或多個：在整個基片上離子注入的所要求的最大不均勻性，所要求的基片通過量，最小離子束電流，及一個或多個所要求的基片條件；

基于所確定的離子束剖面和所述性能判據組，選擇基片在快掃描方向上的多個不同速度中的一個；以及

基于所選的快掃描速度來控制所述工藝配方。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述工藝配方包括如下各項中的一個或多個：所要求的離子束電流，所述離子束的尺寸，在慢掃描方向上通過所述離子束的次數，注入所述基片的所要求的離子劑量，以及基片在慢掃描方向上的速度。

3.如權利要求2所述的方法，還包括：在控制所述工藝配方之后，至少部分基于與所述受控工藝配方和性能判斷標準相關聯的離子注入，選擇快速方向上的多個不同速度中的另一個。

4.如權利要求1所述的方法，其中：所述一個或多個所要求的基片條件包括最高基片溫度和最大基片動量這兩者中的一個或多個。

5.如權利要求1所述的方法，其中，所述離子束剖面基于如下各項中的一個或多個來確定：經驗數據和基于所述工藝配方的對所述離子束剖面的預測。

6.如權利要求1所述的方法，其中：在整個基片上，所述所要求的最大不均勻性具有大約百分之一的標準偏差。

7.如權利要求1所述的方法，其中：所述基片在快掃描方向上的往復頻率在約1Hz和約15Hz之間，而所述基片在慢掃描方向上的往復頻率在約0.05Hz和約0.2Hz之間。

8.如權利要求1所述的方法，還包括基于所述受控工藝配方、離子束剖面和所述性能判據組來控制所述快掃描速度。

9.一種在離子注入基片期間最優化離子束利用的方法，其中，所述基片在快掃描方向上和大體上正交的慢掃描方向上通過所述離子束，所述方法包括：

為離子注入提供工藝配方，所述工藝配方包括如下各項中的一個或多個：所述離子束的電流，離子的劑量，以及基片在慢掃描方向上通過所述離子束的次數；

基于所述工藝配方來得出所述離子束的剖面，其中確定所述離子束的尺寸；

至少部分基于所述離子注入的所要求的最大不均勻性和所述工藝配方，來選擇基片在快掃描方向上的多個不同速度中的一個；

基于如下各項中的一個或多個來控制所述工藝配方：所要求的最大不均勻性，所述基片的通過時間，所要求的最小離子束電流，及一個或多個基片條件；以及

基于所述離子注入的劑量來選擇在慢掃描方向上的多個速度中的一個。

10.如權利要求9所述的方法，還包括：在控制所述工藝配方之后，基于與所述受控工藝配方相關聯的離子注入的均勻性，來選擇在快掃描方向上的多個速度中的另一個。

11.如權利要求9所述的方法，其中：選擇在快掃描方向上的多個速度中的一個還基于一個或多個所要求的基片條件。

12.如權利要求11所述的方法，其中：所述一個或多個基片條件包括最高基片溫度和最大基片動量這兩者中的一個或多個。

13.如權利要求9所述的方法，其中，所述離子束剖面基于如下各項中的一個或多個來確定：經驗數據和基于所述工藝配方的對所述離子束剖面的預測。

14.如權利要求9所述的方法，其中：在整個基片上，所述所要求的最大不均勻性具有大約百分之一的標準偏差。

15.如權利要求9所述的方法，其中：所述基片在快掃描方向上的往復頻率在約1Hz和約15Hz之間，而所述基片在慢掃描方向上的往復頻率在約0.05Hz和約0.2Hz之間。