[發明專利]半導體制造裝置、該半導體制造裝置進行異常檢測、異常原因的確定或異常預測的方法、和記錄有用于實施該方法的計算機程序的存儲介質

有效

• 申請號: 200580045356.6
• 申請日: 2005-12-22
• 公開（公告）號: CN101095214A
• 公開（公告）日: 2007-12-26
• 發明（設計）人: 坂本浩一;小幡穣;小山典昭
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;C23C16/44
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍淳

1.一種半導體制造裝置，為了制造半導體裝置而對基板進行處理，其特征在于，具有：

邊界數據存儲部，存儲有在二軸坐標系上確定正常區域與異常區域的邊界的邊界數據，所述二軸坐標系的第一軸和第二軸上分別分配有以選自表示所述半導體制造裝置的狀態的多個裝置狀態參數的第一監視對象參數和與所述第一監視對象參數保持某種相關關系而變化的第二監視參數；

第一監視模塊和第二監視模塊，分別監視所述第一監視對象參數和所述第二監視對象參數的值；

判斷模塊，判斷分別通過所述第一模塊和第二監視模塊獲得的所述第一監視對象參數的值和所述第二監視對象參數的值的組在所述二軸坐標系上的位置包含在所述正常區域與所述異常區域的哪一個中；和

異常報知模塊，在所述判斷模塊判斷所述位置包含在所述異常區域中時，通知在所述半導體制造裝置發生異常。

2.如權利要求1所述的半導體制造裝置，其特征在于，還具有：

相關數據生成模塊，基于與在所述半導體制造裝置處于正常狀態時取得的所述第一監視對象參數的值和與所述第二監視對象參數的值的多個對應的組，生成在所述二軸坐標系上表示所述第一和第二監視對象參數的相關關系的相關數據；和

邊界數據生成模塊，基于通過所述相關數據生成模塊生成的相關數據，生成在所述二軸坐標系上確定所述正常區域與所述異常區域的所述邊界的邊界數據。

3.如權利要求2所述的半導體制造裝置，其特征在于：

還具有存儲所述裝置狀態參數的履歷的裝置數據存儲部，

所述相關數據生成模塊，基于存儲在所述裝置數據存儲部中的與所述第一和第二監視對象參數對應的所述裝置狀態參數，生成所述相關數據。

4.如權利要求2所述的半導體制造裝置，其特征在于：

具有顯示所述相關數據的顯示模塊。

5.如權利要求4所述的半導體制造裝置，其特征在于：

所述顯示模塊構成為將所述相關數據和所述邊界數據顯示在同一個二軸坐標系中。

6.如權利要求2所述的半導體制造裝置，其特征在于：

所述邊界數據生成模塊具有：選擇用于定義所述邊界的近似式的模塊；和基于所述相關數據與被選擇的所述近似式求出近似式的系數的模塊。

7.如權利要求1所述的半導體制造裝置，其特征在于：

所述半導體制造裝置是成膜裝置，其具有：反應容器、與所述反應容器連接的排氣線路、設置在所述排氣線路上并用于調整所述反應容器內的壓力的壓力調整閥，

所述第一監視對象參數是所述壓力調整閥的開度，

所述第二監視對象參數是通過在所述反應容器內進行的成膜處理而形成的薄膜的累積膜厚。

8.如權利要求1所述的半導體制造裝置，其特征在于：

還具有反應容器、由為了加熱所述容器內而設置在所述反應容器周圍的電阻發熱體構成的加熱器、和檢測所述加熱器的溫度的溫度檢測部，

所述第一監視對象參數是由所述溫度檢測部檢測出的溫度，

第二監視對象參數是向所述加熱器供給的電力。

9.如權利要求1所述的半導體制造裝置，其特征在于：

所述半導體制造裝置具有：反應容器、由為了加熱所述反應容器內而設置在所述反應容器周圍的電阻發熱體構成的加熱器、和檢測所述反應容器內的溫度的溫度檢測部，該半導體制造裝置是構成為至少基于所述溫度檢測部的溫度檢測值，控制向所述加熱器供給的電力的成膜裝置，

所述第一監視對象參數是向所述加熱器供給的電力，

第二監視對象參數是通過在所述反應容器內進行的成膜處理而形成的薄膜的累積膜厚。

10.如權利要求1所述的半導體制造裝置，其特征在于：

所述半導體制造裝置具有反應容器，是構成為在所述反應容器內對基板實施成膜處理的成膜裝置，

所述半導體處理裝置還包括批量大小選擇模塊，該批量大小選擇模塊選擇作為在所述反應容器內通過一次處理而處理的基板的處理枚數的批量大小，

所述邊界數據儲存部存儲有與批量大小分別對應的多個邊界數據，

所述判斷模塊構成為，基于與所選擇的批量大小對應的邊界數據進行判斷。