[發明專利]用于薄膜晶體管的N型半導體材料

有效

• 申請號: 200580044132.3
• 申請日: 2005-12-06
• 公開（公告）號: CN101084590A
• 公開（公告）日: 2007-12-05
• 發明（設計）人: D·舒克拉;D·C·弗里曼;S·F·納爾遜
• 申請（專利權）人: 伊斯曼柯達公司
• 主分類號: H01L51/30
• 分類號: H01L51/30
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 段曉玲;趙蘇林

1.一種包括在薄膜晶體管中的有機半導體材料薄膜的制品，所述 有機半導體材料包括基于N，N′-二(芳基烷基)取代的苝的四羧酸二酰亞 胺化合物，該化合物由以下結構表示：

其中X為二價-CH₂-基團，n＝1-3，以及在所述結構的第一和第二 苯環上的R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、和R10各自獨 立地選自H、CH₃、線型或支化的C₂-C₄烷基，Y選自烷基、鏈烯基、 烷氧基、鹵素、氰基、芳基或芳烷基，m是0。

2.權利要求1的制品，其中所述薄膜晶體管是包括電介質層、柵 電極、源電極和漏電極的場效應晶體管，和其中所述電介質層、柵電 極、有機半導體材料薄膜、源電極和漏電極為任何順序，只要所述柵 電極和有機半導體材料薄膜均與電介質層接觸，且所述源電極和漏電 極均與有機半導體材料薄膜接觸即可。

3.權利要求1的制品，其中所述結構的第一和第二苯環中的一個 或兩者由至少一個給電子基團取代，所述給電子基團選自CH₃、線型 或支化的C₂-C₄烷基。

4.權利要求1的制品，其中在所述結構中，至少一個苯環由單個 取代基取代，該取代基與連接苯基和酰亞胺氮的X基團的位置成鄰位 或者間位。

5.一種選自集成電路、有源矩陣顯示器和太陽能電池的電子器 件，包括多個權利要求1的薄膜晶體管。

6.一種用于制造薄膜半導體器件的方法，包括以下步驟，但并不 必然按以下順序：

(a)將包括基于N，N′-二(芳基烷基)取代的苝的四羧酸二酰亞胺 化合物的n溝道有機半導體材料薄膜沉積在基底上，所述基于N，N′- 二(芳基烷基)取代的苝的四羧酸二酰亞胺化合物由以下結構表示：

其中X為二價-CH₂-基團，n＝1-3，以及在所述結構的第一和第二 苯環上的R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、和R10各自獨 立地選自H、CH₃、線型或支化的C₂-C₄烷基，Y選自烷基、鏈烯基、 烷氧基、鹵素、氰基、芳基或芳烷基，m是0，這樣使得所述有機半 導體材料展現出大于0.01cm²/Vs的場效應電子遷移率；

(b)形成彼此隔開的源電極和漏電極，其中所述源電極和漏電極 通過n溝道半導體膜隔開并與該n型溝道半導體膜電連接；和

(c)形成與所述有機半導體材料間隔開的柵電極。

7.權利要求6的方法，其中所述基于N，N′-二(芳基烷基)取代的苝 的四羧酸二酰亞胺化合物為N，N’-雙[2-甲基-苯乙基]-苝3，4，9，10四羧酸 二酰亞胺、N，N’-雙[3-甲基-苯乙基]-苝3，4，9，10四羧酸二酰亞胺、或 N，N’-雙[2-甲基-苯甲基]-苝3，4，9，10四羧酸二酰亞胺、或N，N’-雙[3-甲 基-苯甲基]-苝3，4，9，10四羧酸二酰亞胺。

8.權利要求6的方法，全部在低于100℃的峰值溫度下進行。