[發(fā)明專利]半導(dǎo)體片縱式熱處理裝置用磁性流體密封單元無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200580043902.2 | 申請(qǐng)日: | 2005-12-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101084571A | 公開(kāi)(公告)日: | 2007-12-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 島崎靖幸;野口學(xué) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社理學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L21/205 | 分類號(hào): | H01L21/205;H01L21/22;H01L21/324 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 史雁鳴 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 片縱式 熱處理 裝置 磁性 流體 密封 單元 | ||
1.一種磁性流體密封單元,該磁性流體密封單元裝入到縱式熱處理裝置中,所述縱式熱處理裝置,在利用保持器在縱向方向上隔開(kāi)一定間隔地保持多個(gè)被處理基板的同時(shí),一面使所述保持器在微小的預(yù)壓力或者真空的高溫反應(yīng)容器內(nèi)旋轉(zhuǎn),一面對(duì)所述反應(yīng)容器內(nèi)的被處理基板進(jìn)行熱處理,其特征在于,所述磁性流體密封單元包括:
旋轉(zhuǎn)軸,所述旋轉(zhuǎn)軸通過(guò)形成在所述反應(yīng)容器的底部的軸孔進(jìn)入反應(yīng)容器內(nèi),將旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)力傳遞給所述保持器,
筒狀單元主體,所述筒狀單元主體安裝在所述反應(yīng)容器的底部外側(cè),同時(shí),具有與所述軸孔連通的支承孔,在該支承孔內(nèi)貫通插入所述旋轉(zhuǎn)軸,
外殼構(gòu)件,所述外殼構(gòu)件固定在所述旋轉(zhuǎn)軸的下端,從所述單元主體的下方向外周翻回,
磁性流體密封部,所述磁性流體密封部利用磁性流體將所述旋轉(zhuǎn)軸和單元主體之間的間隙密封,
軸承部,所述軸承部在所述單元主體與外殼構(gòu)件之間設(shè)置于前述單元主體的下端部,
氣體供應(yīng)通路,所述氣體供應(yīng)通路比所述磁性流體密封部更靠近反應(yīng)容器側(cè),并且在所述磁性流體密封部附近的位置中,向所述旋轉(zhuǎn)軸和單元主體之間的間隙供應(yīng)清洗氣體。
2.如權(quán)利要求1所述的磁性流體密封單元,其特征在于,所述磁性流體密封部裝入到所述單元主體的下部位置。
3.如權(quán)利要求1所述的磁性流體密封單元,其特征在于,所述單元主體,在向所述反應(yīng)容器的底部進(jìn)行安裝的安裝部與所述磁性流體密封部的裝入部分之間,形成散熱手段。
4.如權(quán)利要求3所述的磁性流體密封單元,其特征在于,所述散熱手段的結(jié)構(gòu)為:所述單元主體的橫截面面積比所述磁性流體密封部的裝入部分小。
5.如權(quán)利要求3所述的磁性流體密封單元,其特征在于,所述散熱手段是形成在所述單元主體的外表面上的散熱翅片。
6.如權(quán)利要求1所述的磁性流體密封單元,其特征在于,所述旋轉(zhuǎn)軸,在中心軸上具有從下端起在一定的長(zhǎng)度上形成的中空部,并且,利用熱傳導(dǎo)率比所述旋轉(zhuǎn)軸高的材料形成的熱傳導(dǎo)軸被內(nèi)切地裝入到該中空部中,
前述熱傳導(dǎo)軸能夠在軸向方向上移動(dòng)。
7.如權(quán)利要求1所述的磁性流體密封單元,其特征在于,在從所述氣體供應(yīng)通路供應(yīng)清洗氣體的前述間隙部分上,形成具有比其它的間隙部分大的容積的槽。
8.如權(quán)利要求1所述的磁性流體密封單元,其特征在于,在形成于前述反應(yīng)容器底部的軸孔的附近位置處,在前述旋轉(zhuǎn)軸與單元主體之間,形成一對(duì)或者多對(duì)與前述旋轉(zhuǎn)軸具有相同中心的同心圓狀的迷宮式密封件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





