[發明專利]SiC器件的可焊接頂層金屬

有效

• 申請號: 200580043774.1
• 申請日: 2005-10-21
• 公開（公告）號: CN101233617A
• 公開（公告）日: 2008-07-30
• 發明（設計）人: R·卡爾塔;L·貝萊莫;L·梅林
• 申請（專利權）人: 國際整流器公司
• 主分類號: H01L29/15
• 分類號: H01L29/15
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司
• 代理人: 周建秋;王鳳桐

1.一種半導體器件，該半導體器件包括：

具有頂面的碳化硅襯底；

在所述襯底的所述頂面上的至少一個電源電極；

在所述襯底的所述頂面上的鈍化層，所述鈍化層包圍所述電源電極的外周邊邊緣；以及

置于所述電源電極頂面的一部分上的可焊接觸點，所述可焊接觸點與所述鈍化層分開一定距離，使所述可焊接觸點和所述鈍化層的相鄰側面形成延伸到所述電源電極頂面的間隙。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述可焊接觸點的頂面和側面完全露出，用于進行焊接連接。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述可焊接觸點是含銀觸點，并且在焊接之后，所述可焊接觸點的整個頂面和側面完全轉變成焊料合金。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述間隙是從約5μm寬到約80μm寬。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述可焊接觸點包括銀。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述可焊接觸點是可焊接的三金屬，所述三金屬頂部由銀組成。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述鈍化層是非晶硅層。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述鈍化層是第一鈍化層，并且所述器件還包括在所述第一鈍化層上的第二鈍化層。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中所述第二鈍化層延伸到所述間隙，使所述第二鈍化層的側面與所述可焊接觸點的側面相鄰，從而進一步形成所述間隙。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中所述可焊接觸點的側面延伸到所述襯底頂面以上第一高度，所述第二鈍化層的側面延伸到所述襯底頂面以上第二高度，并且所述第二高度等于或大于所述第一高度。

11.根據權利要求8所述的半導體器件，其中所述第二鈍化層是光成像聚酰亞胺層、PSG氧化物層或氮化硅層。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述器件是肖特基二極管，并且所述至少一個電源電極是正極。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，還包括端子區，所述端子區包括至少一個保護環。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中所述器件能承受從約300V到約1600V的勢壘電壓。

15.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括電連接到所述可焊接觸點的導電夾片或引線架。

16.一種半導體器件，該半導體器件包括：

具有頂面的碳化硅襯底；

在所述襯底的所述頂面上的至少一個電源電極；

在所述襯底的所述頂面上的第一鈍化層，所述第一鈍化層包圍所述電源電極的外周邊邊緣；

在所述第一鈍化層上的第二鈍化層，所述第二鈍化層包圍所述電源電極的外周邊邊緣；以及

置于所述電源電極頂面的一部分上的可焊接觸點，所述可焊接觸點與所述第一和第二鈍化層分開一定距離，使所述可焊接觸點與所述第一和第二鈍化層之間形成間隙。

17.根據權利要求16所述的半導體器件，其中所述間隙是從約5μm寬到約80μm寬。

18.根據權利要求16所述的半導體器件，其中所述第一鈍化層是非晶硅層，所述第二鈍化層是光成像聚酰亞胺層、PSG氧化物層或氮化硅層。

19.根據權利要求16所述的半導體器件，其中所述可焊接觸點和所述第二鈍化層的相鄰側面形成一部分所述間隙，并且相鄰的側面延伸到所述襯底頂面以上基本上相同的高度。

20.根據權利要求16所述的半導體器件，其中所述可焊接觸點的頂面和側面完全露出，用于進行焊接連接，并且所述可焊接觸點是含銀觸點，在焊接之后，所述可焊接觸點的整個頂面和側面完全轉變成焊料合金。