[發明專利]光電導器件

有效

• 申請號: 200580041877.4
• 申請日: 2005-12-07
• 公開（公告）號: CN101313412A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發明（設計）人: 羅伯特·N·薩克斯;馬修·M·加茲維耶基;斯蒂文·L·威廉姆森
• 申請（專利權）人: 派克米瑞斯有限責任公司
• 主分類號: H01L31/09
• 分類號: H01L31/09
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

1.一種半導體結構，包括：

GaAs或InP襯底；

生長在所述襯底上的In_xGa_1-xAs外延層，其中x大于0.01且小于0.53；和

在所述In_xGa_1-xAs外延層頂部生長的作為罩層的更寬能帶隙的外延層，

在所述In_xGa_1-xAs層生長期間，所述襯底的溫度在125～225℃范圍的溫度下，以使生長工藝非化學定量化以及富砷化；并且

所述更寬能帶隙的外延罩層的厚度范圍為50～

其中，In_xGa_1-xAs外延層是非化學定量化的以及富砷化的，

其中，罩層足夠薄以不阻礙光生電荷的傳輸，但在沒有強電場的情況下，罩層成為電荷傳輸的障礙。

2.權利要求1中記載的半導體結構，其中，

所述In_xGa_1-xAs層的厚度范圍為0.1～2.0μm。

3.權利要求1中記載的半導體結構，其中，

所述更寬能帶隙的外延罩層是在125～225℃范圍的溫度下生長的化學定量的GaAs或者非化學定量的GaAs。

4.權利要求1中記載的半導體結構，其中，

所述更寬能帶隙的外延罩層是在125～225℃范圍的溫度下生長的化學定量的AlGaAs或者非化學定量的AlGaAs。

5.權利要求1中記載的半導體結構，其中，

所述更寬能帶隙的外延罩層是在125～225℃范圍的溫度下生長的化學定量的InAlAs或者非化學定量的InAlAs。

6.權利要求1中記載的半導體結構，其中，

所述更寬能帶隙的外延罩層是InP。

7.權利要求1中記載的半導體結構，其中，

在所述外延結構生長后對所述結構進行原地或非原地的后退火處理。

8.權利要求7中記載的半導體結構，其中，

所述后退火的溫度范圍為400～700℃。

9.權利要求7中記載的半導體結構，其中，

所述后退火的持續時間的范圍為5～30分鐘。

10.權利要求1中記載的半導體結構，其中，

除小塊區域或者臺面結構不被刻蝕外，所述結構被圖案化并向下刻蝕至所述襯底。

11.權利要求10中記載的半導體結構，其中，

所述臺面結構的形狀為圓形。

12.權利要求11中記載的半導體結構，其中，

所述臺面結構的直徑的范圍為10～100μm。

13.權利要求12中記載的半導體結構，

還包括電絕緣且限光的電介質膜，所述電介質膜淀積在除在所述臺面結構上表面中心限定了窗口的區域之外的所述半導體結構的表面上。

14.權利要求13中記載的半導體結構，其中，

所述電介質膜中的所述窗口的形狀為圓形且直徑比所述臺面結構頂部的直徑小。

15.權利要求14中記載的半導體結構，其中，

所述電介質膜中的所述窗口的直徑的范圍為5～90μm。

16.權利要求15中記載的半導體結構，

還包括具有淀積在所述電介質膜上的兩個薄膜電極的電接觸，所述兩個電極之間具有間隙，所述間隙被設置為使所述間隙和每個電極的部分位于所述電介質膜的所述窗口內并與所述臺面結構的頂部半導體結構表面相接觸。

17.權利要求16中記載的半導體結構，其中，

所述兩個電極之間的所述半導體表面涂敷有抗反射涂層。

18.權利要求16中記載的半導體結構，其中，

在所述兩個電極之間施加電偏置，光脈沖或者正弦變化的光信號入射于所述間隙并在產生脈沖的或正弦變化的電信號的光電導間隙中激發載流子。

19.權利要求16中記載的半導體結構，

還包括電連接至所述兩個電極的輻射天線，從所述天線輻射具有亞太赫茲至太赫茲帶寬的電信號。