[發(fā)明專(zhuān)利]用于電熱可編程器件的電介質(zhì)反熔絲

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200580040934.7
• 申請(qǐng)日: 2005-11-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101069296A
• 公開(kāi)（公告）日: 2007-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 漢斯·M·B·波依;卡倫·阿滕伯勒;雷德弗雷德斯·A·M·胡爾克斯;普拉巴特·阿加瓦爾;亨特里希·G·A·赫伊津;邁克爾·A·A·因贊特;楊·W·斯洛特布曼
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L45/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 朱進(jìn)桂

1.一種熱可編程器件，具有熱可編程材料(20)的可編程元件，并且該器件具有毗鄰該熱可編程材料的熔斷反熔絲或可熔斷反熔絲(80)，其中反熔絲具有被導(dǎo)電層(90，110；130，140)圍繞的電介質(zhì)層(120)，以及導(dǎo)電層(130，140)由相反摻雜的半導(dǎo)體材料形成，從而在反熔絲處形成pn結(jié)。

2.權(quán)利要求1的器件，該熱可編程材料具有可編程電阻。

3.權(quán)利要求1的器件，熔斷反熔絲被定位成充當(dāng)用于讀出該熱可編程材料的狀態(tài)的電路徑的一部分。

4.權(quán)利要求1的器件，熔斷反熔絲被設(shè)置成充當(dāng)用于設(shè)置該熱可編程材料的狀態(tài)的電加熱器。

5.權(quán)利要求1的器件，具有位于反熔絲下面的第一電極(50，140)，位于反熔絲上的該熱可編程材料，以及位于該熱可編程材料上的第二電極。

6.權(quán)利要求1的器件，第二體積的熱可編程材料(20)被定位成使反熔絲在該熱可編程材料和該第二體積的熱可編程材料之間。

7.權(quán)利要求1的器件，熔斷反熔絲具有小于100nm的直徑的、電介質(zhì)中的孔。

8.權(quán)利要求1的器件，其中反熔絲是選擇器件的集成部分。

9.權(quán)利要求8的器件，其中選擇器件是pn二極管。

10.權(quán)利要求8的器件，其中選擇器件包括相變材料的層。

11.權(quán)利要求10的器件，其中相變材料的層是n-或p-摻雜層。

12.權(quán)利要求1的器件，其中反熔絲是隧道勢(shì)壘層。

13.權(quán)利要求12的器件，其中隧道勢(shì)壘層是由具有O，N，S，C、并具有Hf，Zr，Al，Mg，Cr，Si，Ga，Ti，Ta，B，Y，Nb中的任何一種的化合物制成的絕緣層。

14.權(quán)利要求1的器件，進(jìn)一步包括氧化鋁層。

15.一種可尋址單元的陣列，每一個(gè)單元包括權(quán)利要求1至14的任何一個(gè)的器件。

16.一種具有多個(gè)可尋址單元的存儲(chǔ)器，每一個(gè)單元包括權(quán)利要求1至14的任何一個(gè)的器件。

17.權(quán)利要求16的存儲(chǔ)器，單元是可重復(fù)編程單元。

18.一種集成電路，具有權(quán)利要求1至14的任何一個(gè)的器件或權(quán)利要求15的陣列或權(quán)利要求16或17的存儲(chǔ)器。

19.一種制造如在權(quán)利要求1至14的任何一個(gè)中闡述的器件的方法，具有步驟：形成彼此臨近的反熔絲和熱可編程材料的元件，以及在形成該熱可編程材料之前或之后熔斷反熔絲，其中反熔絲具有被導(dǎo)電層圍繞的電介質(zhì)層，以及導(dǎo)電層由相反摻雜的半導(dǎo)體材料形成，從而在反熔絲處形成pn結(jié)。

20.權(quán)利要求19的方法，并且在熔斷反熔絲之后形成需用于制造具有熱可編程器件的集成電路的后端工藝中的其他層。