[發(fā)明專利]具有埋入襯底的柵的動態(tài)隨機存取存儲器晶體管及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200580038056.5
• 申請日: 2005-08-29
• 公開（公告）號: CN101057322A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: S·唐;G·哈勒;K·布朗;T·E·艾倫三世
• 申請（專利權(quán)）人: 微米技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L21/336;H01L27/108;H01L29/78
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 王允方;劉國偉

1.一種晶體管器件，包括：

半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)延伸的柵，在所述柵上方的柵介質(zhì)，在所述柵的相對側(cè)上的一對源/漏區(qū)，以及在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的溝道區(qū)，所述溝道區(qū)的至少一部分限定所述晶體管器件的最下結(jié)構(gòu)；以及

其中所述柵環(huán)繞所述半導(dǎo)體襯底的一部分。

2.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述柵介質(zhì)、所述對源/漏區(qū)和所述溝道區(qū)在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)。

3.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述柵介質(zhì)整體、所述對源/漏區(qū)整體和所述溝道區(qū)整體在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)。

4.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述柵圍繞所述溝道區(qū)的一部分。

5.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述溝道區(qū)在所述半導(dǎo)體內(nèi)并且在高度上低于所述對源/漏區(qū)。

6.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述柵圍繞所述溝道區(qū)的一部分并且所述柵圍繞所述對源/漏區(qū)中的一個。

7.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述半導(dǎo)體襯底包括單晶硅。

8.如權(quán)利要求1所述的器件，還包括結(jié)合進DRAM器件的所述晶體管。

9.如權(quán)利要求1所述的器件，還包括數(shù)據(jù)存儲元件，所述數(shù)據(jù)存儲元件電耦合至所述晶體管器件從而形成存儲單元，所述存儲單元在所述半導(dǎo)體襯底上方的面積大約為4F2，其中F表示光刻限定特征的最小特征尺寸。

10.一種晶體管器件，包括：

含有上表面的半導(dǎo)體襯底；

一對源/漏區(qū)，其包括所述半導(dǎo)體襯底的部分；

溝道區(qū)，其包括在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的至少三個側(cè)向間隔部分，并且所述三個部分的每一者相對于所述半導(dǎo)體襯底的上表面垂直延伸；以及

柵部分，其置于所述對源/漏區(qū)之間，所述柵環(huán)繞所述半導(dǎo)體襯底的一部分，其中所述對源/漏區(qū)中的一個實質(zhì)上垂直延伸且在高度上限定所述晶體管裝置的最高結(jié)構(gòu)。

11.如權(quán)利要求10所述的器件，其中所述溝道區(qū)的所述三個部分中的一個直接在所述對源/漏區(qū)中的一個的下面延伸。

12.如權(quán)利要求10所述的器件，其中所述溝道區(qū)的所述三個部分中的一個直接在所述對源/漏區(qū)中的一個的下面延伸，并且其中所述柵在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)并圍繞所述溝道區(qū)的所述三個部分的一個。

13.如權(quán)利要求10所述的器件，其中所述半導(dǎo)體襯底包括單晶硅。

14.如權(quán)利要求10所述的器件，還包括結(jié)合進DRAM器件的所述晶體管器件。

15.如權(quán)利要求10所述的器件，還包括數(shù)據(jù)存儲元件，所述數(shù)據(jù)存儲元件電耦合至所述源/漏區(qū)對中的一個從而形成存儲單元，所述存儲單元包括所述半導(dǎo)體襯底上方大約4F²的面積，其中F表示光刻限定特征的最小特征尺寸。

16.一種半導(dǎo)體構(gòu)造，包括：

從半導(dǎo)體襯底的上表面向上延伸的傳導(dǎo)柱，所述傳導(dǎo)柱包括圓形截面；

在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)在所述傳導(dǎo)柱下面并與所述傳導(dǎo)柱電耦合的源/漏區(qū)；

晶體管溝道，其在所述源/漏區(qū)下面延伸且包括所述半導(dǎo)體襯底的至少一曲線部分；以及

在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)并鄰近所述晶體管溝道的柵，所述柵環(huán)繞所述半導(dǎo)體襯底的一部分，其中所述柵圍繞所述源/漏區(qū)。

17.如權(quán)利要求16所述的構(gòu)造，其中所述傳導(dǎo)柱包括外延硅柱。

18.如權(quán)利要求16所述的構(gòu)造，其中所述源/漏區(qū)包括漏區(qū)。

19.如權(quán)利要求16所述的構(gòu)造，還包括與所述傳導(dǎo)柱電耦合的電容器。

20.如權(quán)利要求16所述的構(gòu)造，其中所述構(gòu)造包括晶體管，并且還包括將所述晶體管結(jié)合進存儲單元結(jié)構(gòu)，其中所述傳導(dǎo)柱將所述晶體管電耦合至電容器。

21.如權(quán)利要求16所述的構(gòu)造，其中所述半導(dǎo)體襯底水平取向并且所述晶體管溝道垂直延伸。

22.如權(quán)利要求16所述的構(gòu)造，其中所述半導(dǎo)體襯底包括單晶硅。