[發明專利]光學記錄介質

無效

• 申請號: 200580037779.3
• 申請日: 2005-09-07
• 公開（公告）號: CN101053027A
• 公開（公告）日: 2007-10-10
• 發明（設計）人: 關口洋義;伊藤和典;出口浩司;大倉浩子;加藤將紀;安部美樹子
• 申請（專利權）人: 株式會社理光
• 主分類號: G11B7/24
• 分類號: G11B7/24;G11B7/243;B41M5/26
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 宋莉

1.一種光學記錄介質，其包含：

透明基底，

布置于透明基底上的第一保護層，

布置于第一保護層上的記錄層，

布置于記錄層上的第二保護層，和

布置于第二保護層上的反射層，

其中該記錄層由包含Ga、Sb、Sn和Ge并且其中轉變線速度為20m/s-30m/s的相變記錄材料組成，

其中當記錄和復制光的波長處于650nm-665nm范圍內并且記錄線速度為20m/s-28m/s時，記錄層在晶態下的折射率Nc和消光系數Kc以及在非晶態下的折射率Na和消光系數Ka分別滿足以下數值表達式：

2.0≤Nc≤3.0，

4.0≤Kc≤5.0，

4.0≤Na≤5.0，和

2.5≤Ka≤3.1，

并且其中可在20m/s-28m/s的記錄線速度范圍內記錄信息。

2.根據權利要求1的光學記錄介質，其中當將記錄層中的四種元素Ga、Sb、Sn和Ge的相互組成原子％分別看作是α、β、γ和δ時，它們滿足以下數值表達式：

2≤α≤11，

59≤β≤70，

17≤γ≤26，

2≤δ≤12，

84≤β+γ≤88，和

α+β+γ+δ＝100。

3.根據權利要求2的光學記錄介質，其中相對于記錄層中的所有元素，記錄層中的四種元素Ga、Sb、Sn和Ge的總含量為95原子％或更大。

4.根據權利要求3的光學記錄介質，其中記錄層進一步包含Te。

5.根據權利要求1的光學記錄介質，其中第一保護層的薄膜厚度為30nm-100nm，記錄層的薄膜厚度為5nm-50nm，第二保護層的薄膜厚度為3nm-15nm，反射層的薄膜厚度為100nm-300nm。

6.根據權利要求1的光學記錄介質，其中透明基底帶有具有0.74±0.03μm軌道間距、22nm-40nm槽深和0.2μm-0.3μm槽寬的波動式凹槽。

7.根據權利要求1的光學記錄介質，其中該光學記錄介質進一步包括在第二保護層與反射層之間的硫化防止層；并且第一保護層包括ZnS和SiO₂的混合物且第二保護層包括ZnS和SiO₂的混合物，硫化防止層包括TiC和TiO的混合物，反射層包括Ag。

8.根據權利要求7的光學記錄介質，其中反射層包括其中Ag為主要組分的合金。

9.根據權利要求7的光學記錄介質，其中第二保護層和硫化防止層的總薄膜厚度為7nm-20nm。

10.根據權利要求9的光學記錄介質，其中第二保護層和硫化防止層的總薄膜厚度為7nm-15nm。

11.根據權利要求7的光學記錄介質，其中硫化防止層的組成為(TiC)_p(TiO)_100-p，其中p表示質量百分比并且滿足以下數值表達式50≤p≤80。

12.根據權利要求7的光學記錄介質，其中該光學記錄介質進一步包括在第二保護層與硫化防止層之間的具有2nm-8nm薄膜厚度、含有ZrO₂、Y₂O₃和TiO₂的混合物的層。

13.根據權利要求7的光學記錄介質，其中該光學記錄介質進一步包括在第一保護層與相變記錄層之間的具有2nm-4nm薄膜厚度的含有SiO₂的層。