[發明專利]RFID近場微帶天線有效
| 申請號: | 200580037610.8 | 申請日: | 2005-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN101052775A | 公開(公告)日: | 2007-10-10 |
| 發明(設計)人: | 加里·馬克·沙弗爾;卡倫·貝魯姆;小喬治·A.·雷諾爾德斯;克里斯托弗·馬庫斯;約翰·福特;連明仁;愛德華·迪卡爾羅;理查德·L·庫普蘭德 | 申請(專利權)人: | 傳感電子公司 |
| 主分類號: | E05B73/00 | 分類號: | E05B73/00;H01Q1/38;H01Q1/22;H01Q9/06 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 蔣世迅 |
| 地址: | 美國佛*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | rfid 近場 微帶 天線 | ||
1.一種近場RFID天線裝置,該天線裝置具有線性元件微帶天線,所述近場RFID天線裝置包括:
基片,具有第一表面、第二表面以及所述第一表面與所述第二表面之間限定的厚度;
在所述線性元件微帶天線的第一端區上的饋電點;
在所述線性元件微帶天線的第二端區上的終接電阻器,所述第二端區與所述饋電點相對;
配置于所述基片的第一表面上的線性微帶線,所述線性微帶線與所述饋電點和所述終接電阻器電連接;
配置于所述基片的第二表面上且部分地配置于所述基片的第一表面上的接地平面,所述接地平面不與所述線性微帶線接觸;
所述線性微帶天線被配置為使:在工作波長下由該線性元件微帶天線發射的定域電場E基本上駐留在由近場限定的區域內;而定域電場E是在沿對應于半波至全波結構的線性元件微帶天線的有效長度上引導電流分布;在所述饋電點處以歐姆為單位的輸入阻抗基本上等于終接電阻器的阻抗。
2.按照權利要求1的近場RFID天線裝置,其中所述線性微帶天線配置成使近場區是由離天線等于λ/2π的距離限定,其中λ是天線的工作波長。
3.按照權利要求2的近場RFID天線裝置,其中所述線性微帶天線是在約915MHz的頻率下工作,因此,近場區距離約為5cm。
4.按照權利要求1的近場RFID天線裝置,其中:
所述線性元件微帶天線配置成單個和連續導體;
所述電阻器連接到所述接地平面,所述天線裝置有相對介電常數。
5.按照權利要求4的近場RFID天線裝置,其中線性元件微帶天線的有效長度是這樣的,使被引導通過天線的電流分布產生一個波長正比于nv/f的波形,其中v是傳播的波速,它等于光速除以天線裝置?的相對介電常數的平方根,f是以Hz為單位的頻率,而n的范圍是從半波長的0.5至全波長的1.0。
6.按照權利要求4的近場RFID天線裝置,其中所述線性元件微帶天線是線性元件微帶跟蹤天線。
7.按照權利要求4的近場RFID天線裝置,其中所述定域電場E耦合到RFID標簽,該RFID標簽的縱向取向是沿線性元件微帶天線的有效長度。
8.一種與RFID標簽通信的方法,包括以下步驟:
提供一個近場RFID天線裝置,該天線裝置具有線性元件微帶天線,所述天線裝置包括:
基片,所述基片具有:
第一表面;
第二表面;和
所述第一表面與所述第二表面之間限定的厚度;
在所述線性元件微帶天線的第一端區上的饋電點;
在所述線性元件微帶天線的第二端區上的終接電阻器,所述第二端區與所述饋電點相對;
配置于所述基片的第一表面上的線性微帶線,所述線性微帶線與所述饋電點和所述終接電阻器電連接;和
配置于所述基片的第二表面上且部分地配置于所述基片的第一表面上的接地平面,其中所述接地平面不與所述線性微帶線接觸;
將所述RFID標簽設置于由相對于所述近場天線裝置等于λ/2π的距離所限定的近場區內,其中λ是所述線性元件微帶天線的工作波長;
在所述饋電點處提供基本上等于終接電阻器的阻抗的以歐姆為單位的輸入阻抗;
使用所述線性元件微帶天線產生在工作波長下基本上駐留在由近場限定的區域內的定域電場E,其中定域電場E是在沿對應于半波至全波結構的線性元件微帶天線的有效長度上引導電流分布。?
9.按照權利要求8的方法,還包括步驟:使所述天線裝置工作在約915MHz的頻率下,因此,近場區距離約為5cm。?
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