[發(fā)明專利]電子部件、疊層陶瓷電容器及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200580025777.2 | 申請日： | 2005-04-22 |
| 公開（公告）號： | CN101076871A | 公開（公告）日： | 2007-11-21 |
| 發(fā)明（設計）人： | 鈴木和孝;佐藤茂樹 | 申請（專利權）人： | TDK株式會社 |
| 主分類號： | H01G4/12 | 分類號： | H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孫秀武;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電子 部件 陶瓷 電容器 及其 制造 方法 | ||
1.電子部件的制造方法，該方法是制造具有內部電極層和電介質層的電子部件的方法，該方法具有以下步驟：
形成具有電介質薄膜和金屬薄膜的燒結前內部電極薄膜的步驟，
將燒結后將成為電介質層的生片與上述內部電極薄膜疊層的步驟，和
將上述生片與上述內部電極薄膜的疊層體進行燒結的步驟。
2.權利要求1的電子部件的制造方法，其中，上述燒結前內部電極薄膜中的上述電介質薄膜含有BaTiO3、MgO、Al2O3、SiO2、CaO、TiO2、V2O3、MnO、SrO、Y2O3、ZrO2、Nb2O5、BaO、HfO2、La2O3、Gd2O3、Tb4O7、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3、Tm2O3、Yb2O3、Lu2O3、CaTiO3和SrTiO3中的至少一種。
3.權利要求1或2中任一項的電子部件的制造方法，其中上述燒結前內部電極薄膜為至少具有一層上述電介質薄膜和一層上述金屬薄膜的兩層或以上的疊層結構。
4.權利要求1或2中任一項的電子部件的制造方法，其中上述金屬薄膜被夾在一對上述電介質薄膜之間，各上述燒結前內部電極薄膜為三層或以上的疊層結構。
5.權利要求1或2中任一項的電子部件的制造方法，其中上述電介質薄膜被夾在一對上述金屬薄膜之間，各上述燒結前內部電極薄膜為三層或以上的疊層結構。
6.權利要求1-5中任一項的電子部件的制造方法，其中，上述燒結前內部電極薄膜是含有多層上述電介質薄膜和多層上述金屬薄膜的疊層結構。
7.權利要求1-6中任一項的電子部件的制造方法，其中，各上述內部電極薄膜中的上述金屬薄膜的合計厚度(t1)為0.1-1.0μm。
8.權利要求1-7中任一項的電子部件的制造方法，其中，各上述內部電極薄膜中的上述電介質薄膜的合計厚度(t2)為0.02-0.2μm。
9.權利要求1-8中任一項的電子部件的制造方法，其中，各上述內部電極薄膜中上述金屬薄膜的合計厚度(t1)與各上述內部電極薄膜中上述電介質薄膜的合計厚度(t2)的比(t2/t1)為0.05-1。
10.權利要求1-9中任一項的電子部件的制造方法，其中，通過薄膜形成法形成上述電介質薄膜。
11.權利要求1-10中任一項的電子部件的制造方法，其中，通過薄膜形成法形成上述金屬薄膜。
12.權利要求10或11的電子部件的制造方法，其中，上述薄膜形成法是濺射法、蒸鍍法、或分散鍍敷法。
13.權利要求1-12中任一項的電子部件的制造方法，其中，上述電介質薄膜和上述生片分別含有實質上為相同組成的電介質。
14.權利要求1-13中任一項的電子部件的制造方法，其中，上述金屬薄膜是以鎳和/或鎳合金作為主要成分的金屬薄膜。
15.權利要求1-14中任一項的電子部件的制造方法，其中，將上述疊層體在具有10-10-10-2Pa的氧分壓的氣氛中、在1000℃-1300℃的溫度下進行燒結。
16.權利要求1-15中任一項的電子部件的制造方法，其中，在燒結上述疊層體后，在具有10-2-100Pa的氧分壓的氣氛中，在1200℃或以下的溫度下進行退火。
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