[發(fā)明專(zhuān)利]使用薄膜技術(shù)制造半導(dǎo)體芯片的方法以及使用薄膜技術(shù)的半導(dǎo)體芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200580025465.1 | 申請(qǐng)日： | 2005-07-20 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101002339A | 公開(kāi)（公告）日： | 2007-07-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 貝特霍爾德·哈恩;福爾克爾·黑勒;斯特凡·凱澤;安德烈亞什·普洛索 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L33/00 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 楊生平;楊紅梅 |
| 地址： | 德國(guó)雷*** | 國(guó)省代碼： | 德國(guó);DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 使用 薄膜 技術(shù) 制造 半導(dǎo)體 芯片 方法 以及 | ||
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
- 防止技術(shù)開(kāi)啟的鎖具新技術(shù)
- 技術(shù)評(píng)價(jià)裝置、技術(shù)評(píng)價(jià)程序、技術(shù)評(píng)價(jià)方法
- 防止技術(shù)開(kāi)啟的鎖具新技術(shù)
- 視聽(tīng)模擬技術(shù)(VAS技術(shù))
- 用于技術(shù)縮放的MRAM集成技術(shù)
- 用于監(jiān)測(cè)技術(shù)設(shè)備的方法和用戶(hù)接口、以及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)
- 用于監(jiān)測(cè)技術(shù)設(shè)備的技術(shù)
- 技術(shù)偵查方法及技術(shù)偵查系統(tǒng)
- 使用投影技術(shù)增強(qiáng)睡眠技術(shù)
- 基于技術(shù)庫(kù)的技術(shù)推薦方法
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測(cè)光學(xué)鏡片制造過(guò)程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測(cè)系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測(cè)方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法
