[發(fā)明專利]從卷筒到卷筒制造的發(fā)光紙和密封的半導(dǎo)體電路裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200580014791.2 | 申請日: | 2005-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN101088140A | 公開(公告)日: | 2007-12-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 約翰·J.·丹尼爾斯;格雷戈里·V·尼爾森 | 申請(專利權(quán))人: | 連接技術(shù)公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 蔣世迅 |
| 地址: | 美國康*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 卷筒 制造 發(fā)光 密封 半導(dǎo)體 電路 裝置 | ||
1.一種固態(tài)光活性裝置,其特征在于:
第一基片,有第一表面置于其上,所述第一表面有第一導(dǎo)電部分;
第二基片,有第二表面置于其上,所述第二表面有第二導(dǎo)電部分;
至少一個半導(dǎo)體元件,有第一導(dǎo)電體和第二導(dǎo)電體,
所述半導(dǎo)體元件位于所述第一表面和所述第二表面之間,
其中,所述第一導(dǎo)電體耦合到所述第一表面的所述第一導(dǎo)電部分并與所述第一表面的所述第一導(dǎo)電部分電連通,且其中,所述第二導(dǎo)電體耦合到所述第一表面的所述第二導(dǎo)電部分并與所述第一表面的所述第二導(dǎo)電部分電連通。
2.按照權(quán)利要求1的裝置,其中的半導(dǎo)體元件安裝在電絕緣的粘結(jié)劑層上,該粘結(jié)劑層位于第一基片和第二基片之間,并把所述基片粘合在一起。
3.按照權(quán)利要求1的裝置,其中所述第一基片包括具有透明導(dǎo)電層的透明基片可彎曲片。
4.按照權(quán)利要求1的裝置,其中所述半導(dǎo)體元件包括光活性半導(dǎo)體元件。
5.按照權(quán)利要求1的裝置,其中所述半導(dǎo)體元件包括發(fā)光二極管管芯。
6.按照權(quán)利要求1的裝置,其中所述半導(dǎo)體元件包括從光轉(zhuǎn)換為能量的裝置。
7.按照權(quán)利要求1的裝置,包括多個半導(dǎo)體元件,這些半導(dǎo)體元件包含能發(fā)射第一波長光的第一部分和能發(fā)射第二波長光的第二部分。
8.按照權(quán)利要求1的裝置,其中第一導(dǎo)電部分和第二導(dǎo)電部分之一或兩者定義多個用于與多個半導(dǎo)體元件連接的臺面。
9.按照權(quán)利要求2的裝置,其中所述半導(dǎo)體元件包括第三導(dǎo)電體,并且其中所述粘結(jié)劑層包括與該第三導(dǎo)電體連接的導(dǎo)電部分。
10.按照權(quán)利要求5的裝置,還包括包含磷光體的層,該層被發(fā)光二極管管芯發(fā)出的第一波長的光發(fā)射在光學(xué)上激發(fā)而發(fā)射第二波長的光。
11.按照權(quán)利要求1的裝置,其中的第一導(dǎo)電部分包括第一電極,而第二導(dǎo)電部分包括第二電極,且其中,該裝置還包括在第一電極與第二電極之間的光輻射發(fā)射層,該光輻射發(fā)射層包括電荷遷移基質(zhì)材料及該電荷遷移基質(zhì)材料中的發(fā)射顆粒,并且其中所述發(fā)射顆粒能響應(yīng)施加在第一與第二電極之間的電壓,產(chǎn)生光輻射。
12.按照權(quán)利要求11的裝置,其中至少第一與第二電極之一對光輻射發(fā)射層發(fā)射的光是透明的。
13.按照權(quán)利要求11的裝置,其中第一與第二電極中的一個電極對光輻射發(fā)射層發(fā)射的光是透明的,而另一電極對所述光是反射的。
14.按照權(quán)利要求11的裝置,其中所述電荷遷移基質(zhì)材料包括離子遷移材料、固體聚合物電解質(zhì)、或本性導(dǎo)電聚合物。
15.按照權(quán)利要求11的裝置,其中所述離子遷移材料包括聚噻吩。
16.按照權(quán)利要求1的裝置,其中所述裝置具有可彎曲片的形式,并且其中所述裝置包括與第一和第二導(dǎo)電部分連接的半導(dǎo)體裝置陣列。
17.一種制作光活性片的方法,特征在于:
提供有導(dǎo)電表面的下基片;
提供電絕緣的粘結(jié)劑;
把光活性半導(dǎo)體元件固定于該電絕緣材料上,所述光活性半導(dǎo)體元件各有第一導(dǎo)電體和第二導(dǎo)電體;
提供有導(dǎo)電層置于其上的上基片,該上基片對光是透明的;
把有光活性半導(dǎo)體元件固定于其上的電絕緣材料置于導(dǎo)電表面與導(dǎo)電層之間;和
把上基片、電絕緣材料、及下基片與光活性半導(dǎo)體元件的所述第一及第二導(dǎo)電體粘合在一起,使之與上基片的導(dǎo)電層及下基片的導(dǎo)電表面實(shí)現(xiàn)電連通,以形成光活性裝置。
18.按照權(quán)利要求17的方法,其中所述電絕緣材料包括粘結(jié)劑材料,且其中的粘合步驟包括把粘結(jié)劑材料激活。
19.按照權(quán)利要求17的方法,其中所述光活性半導(dǎo)體元件包括源自半導(dǎo)體晶片的發(fā)光二極管管芯。
20.按照權(quán)利要求17的方法,其中所述光活性半導(dǎo)體元件包括從光轉(zhuǎn)換為能量的裝置。
21.按照權(quán)利要求17的方法,其中所述光活性半導(dǎo)體元件的第一部分能發(fā)射輻射的第一波長,而光活性半導(dǎo)體元件的第二部分能發(fā)射輻射的第二波長。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





